| 講演名 | 1993/11/19 InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果 喜多 隆, 中山 弘, 西野 種夫, |
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| 抄録(和) | In_0.26>Ga_0.76>As(3nm), GaAs(10nm)歪超格子の光学遷移エネルギーの外部電界依存性を詳細に調べるため、エレクトロリフレクタンス・スペクトルの測定を行った。超格子に加わった電界はGaAsのFanz-Keldysh振動より精密に見積もった。観測された遷移エネルギーの電界発展特性は重い正孔、軽い正孔に対してそれぞれタイプI、タイプII型のバンド構造を反映したシュタルク階段遷移を示した。軽い正孔のシュタルク階段遷移は非線形に電界依存性し、この特性について伝達マトリックス法を用いた理論計算をもとに調べた結果、軽い正孔の第1量子準位と超格子における電子波のFabry-Perot効果により生じるポテンシャルバリア以上のエネルギーを持つ仮想準位との間の共鳴結合状態が原因であることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | We have performed electroreflectance spectroscopy on a 5-period In_0.26>Ga_0.76>As(3nm), GaAs(10nm) strained layer superlattice as a function of electric field.The applied electric field was exactly determined by the Franz-Keldysh oscillation of GaAs.We have resolved transitions between electrons confined in the In_0. 26>Ga_0.76>As layer and light holes localized in the adjacent layers.The type-II Stark-ladder transitions are clearly observed. The observed field evolution of the transition energy shows a nonlinear behavior originating from an anticrossing by oupling resonantly between the first light-hole subband and vertual energy states of light holes. |
| キーワード(和) | 混晶半導体 / 歪超格子 / エレクトロリフレクタンス / ワニエ・シュタルク局在 / シュタルク階段 遷移 |
| キーワード(英) | InGaAs/aAs / Strained layer superlattice / electroreflectance / Wannier・Stark localization / Stark-ladder transition |
| 資料番号 | ED93-128,CPM93-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaAs/GaAs歪超格子における光学遷移の電界効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric field effect for optical transitions in In GaAs/GaAs strained layer superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 混晶半導体 / InGaAs/aAs |
| キーワード(2)（和/英） | 歪超格子 / Strained layer superlattice |
| キーワード(3)（和/英） | エレクトロリフレクタンス / electroreflectance |
| キーワード(4)（和/英） | ワニエ・シュタルク局在 / Wannier・Stark localization |
| キーワード(5)（和/英） | シュタルク階段 遷移 / Stark-ladder transition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 喜多 隆 / Takashi Kita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics,Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 弘 / Hiroshi Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics,Faculty of Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西野 種夫 / Taneo Nishino |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronics,Faculty of Engineering, Kobe University |
| 発表年月日 | 1993/11/19 |
| 資料番号 | ED93-128,CPM93-99 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |