| 講演名 | 1993/11/19 分光エリプソメトリーによるInGaAs/GaAs系歪構造の評価 渡辺 幸宗, 齋藤 忠, |
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| 抄録(和) | III-V族化合物半導体を用いたデバイスの開発において、その材料および構造の評価は重要なことである。本研究では非破壊、非接触で測定する分光エリプソメーターを用い、InGaAs, GaAs系歪構造の評価を行った。解析では、まずGaAs基板上のInGaAs単層膜を用い、InGaAs膜の複素屈折率を求め、In組成や歪みの変化により複素屈折率がどのように変化するかを明らかにした。ついで得られた複素屈折率を用いることにより、GaAs/InGaAs/GaAs歪構造の評価を行い、各層の厚さと組成を非破壊で同時に測定することができた。 |
| 抄録(英) | For development of III-V compound semiconductor devices,it is important to characterize the structures nondestructively.In this work,spectroscopic ellipsometry is applied to characterize strained and relaxed InGaAs.The measured complex refractive indices of the strained InGaAs on GaAs substrates are consistent with the theoretical values.Using these complex refractive indices, thicknesses and compositions for the strained GaAs, InGaAs/GaAs structures can be characterized. |
| キーワード(和) | 分光エリプソメトリー / 歪InGaAs / 光学評価法 / 複素屈折率 |
| キーワード(英) | spectroscopic ellipsometry / strained InGaAs / optical characterization / complex refractive indices |
| 資料番号 | ED93-127,CPM93-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/19(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分光エリプソメトリーによるInGaAs/GaAs系歪構造の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Strained InGaAs/GaAs Structures using Spectroscopic Ellipsometry |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分光エリプソメトリー / spectroscopic ellipsometry |
| キーワード(2)（和/英） | 歪InGaAs / strained InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | 光学評価法 / optical characterization |
| キーワード(4)（和/英） | 複素屈折率 / complex refractive indices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 幸宗 / Yukimune Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Faculty of Technology,Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 齋藤 忠 / Tadashi Saitoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京農工大学工学部 Faculty of Technology,Tokyo University of Agriculture and Technology |
| 発表年月日 | 1993/11/19 |
| 資料番号 | ED93-127,CPM93-98 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |