講演名 1993/11/19
InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
島 隆之, 李 定植, 工藤 一浩, 田中 國昭, 仁木 栄, 山田 昭政, 牧田 雄之助,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 各種GaAs(N11)A面方位基板上に成長したInAs, GaAs量子井戸構造の偏光フォトルミネッセンス測定による発光領域の同定を行った。数種の(N11)基板上成長試料表面には3次元核成長が認められ、このような試料にはフォトルミネッセンスピークも複数認められる。異なった偏光依存性を示す各ピークの測定結果から発光領域とピークとの対応を試みた。偏光特性の出現は3次元核を構成するファセットと基板面とのオフ角度に起因し、(311)A基板上成長試料においては、[233]方向に最も強い偏光成分を有する。この偏光依存性の結果と3次元核の配置から偏光特性出現の原因としてはファセット上に成長したInAs量子井戸層内のエキシトン閉じ込めの異方性が挙げられる。
抄録(英) The polarization resolved photoluminescence measurements were performed to investigate the origin of the PL peaks of InAs, GaAs quantum well structures grown on variously oriented GaAs substrates.PL peaks show strong dependence on polarization.The results demonstrate that the PL polarization is mainly due to the quantum structures in three dimensional microstructures formed on the sample surface.
キーワード(和) 偏光フォトルミネッセンス / 3次元微細構造 / 基板面方位 / InAs/GaAs歪超格子
キーワード(英) polarization resolved PL / 3D microstructure / substrate orientation / InAs/aAs quantum structure
資料番号 ED93-126,CPM93-97
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1993/11/19(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) InAs/GaAs歪超格子の偏光フォトルミネッセンス
サブタイトル(和)
タイトル(英) Determination of radiation region by polarization resolved photoluminescence for InAs/GaAs quantum structures
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 偏光フォトルミネッセンス / polarization resolved PL
キーワード(2)(和/英) 3次元微細構造 / 3D microstructure
キーワード(3)(和/英) 基板面方位 / substrate orientation
キーワード(4)(和/英) InAs/GaAs歪超格子 / InAs/aAs quantum structure
第 1 著者 氏名(和/英) 島 隆之 / Takayuki Shima
第 1 著者 所属(和/英) 千葉大学工学部
Faculty of Engineering,Chiba University
第 2 著者 氏名(和/英) 李 定植 / Jeong-Sik Lee
第 2 著者 所属(和/英) 千葉大学工学部
Faculty of Engineering,Chiba University
第 3 著者 氏名(和/英) 工藤 一浩 / Kazuhiro Kudo
第 3 著者 所属(和/英) 千葉大学工学部
Faculty of Engineering,Chiba University
第 4 著者 氏名(和/英) 田中 國昭 / Kuniaki Tanaka
第 4 著者 所属(和/英) 千葉大学工学部
Faculty of Engineering,Chiba University
第 5 著者 氏名(和/英) 仁木 栄 / Shigeru Niki
第 5 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 6 著者 氏名(和/英) 山田 昭政 / Akimasa Yamada
第 6 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 7 著者 氏名(和/英) 牧田 雄之助 / Yunosuke Makita
第 7 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
発表年月日 1993/11/19
資料番号 ED93-126,CPM93-97
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 326
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日