| 講演名 | 1993/11/19 GaInSb混晶の均一組成バルク成長 渡辺 明佳, 勝野 広宣, 田中 昭, 助川 徳三, |
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| 抄録(和) | CZモードにより均一組成の大型混晶バルクの成長条件の検討を行い、これに基づいて溶質原料の供給下で成長を行う溶質供給CZ法によりGaInSbバルク成長実験を行った。本成長の溶液状態に安定なCZモード成長のための非平衡性と、組成均一化のための平衡性が要求されるため、溶液を小孔を持つ隔壁で区切り溶液間の溶質供給量制御を行うことで2つの溶液状態の共存を実現した。本成長系により成長温度691℃一定の下でInSb濃度3mol%で均一組成の良好なGaInSb混晶バルクを得た。次にここで得た混晶を種子結晶とし、成長温度672℃一定の下で成長を行うことにより、5mol%のInSb濃度を持つ直径17mmのGaInSb混晶バルクを18mmにわたって得た。 |
| 抄録(英) | Pulling technique of a homogeneous alloy bulk from GaSb-InSb pseudo-binary solution fed with GaSb solute was developed.A two- chamber crucible,in which a small hole controlled solute supply from the source chamber,realized two conflict conditions required for stable CZ-mode growth(non-equilibrium)and for keeping a constant composition(near-equilibrium).With use of a GaSb seed crystal,a GaInSb bulk alloy with InSb content of 3 mol% was pulled at a constant temperature of 691℃.Subsequently,using this grown al loy as the second seed,an alloy of 17mm diameter and 18mm length with InSb content of 5 mol% could be pulled at 672℃. |
| キーワード(和) | CZ法 / 溶質供給 / 均一組成 / GaInSb / 混晶 / バルグ |
| キーワード(英) | CZ method / solute-feeding / homogeneous composition / GaInSB / alloy / bulk |
| 資料番号 | ED93-120,CPM93-91 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/19(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInSb混晶の均一組成バルク成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaInSb bulk alloy with homogeneous composition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CZ法 / CZ method |
| キーワード(2)（和/英） | 溶質供給 / solute-feeding |
| キーワード(3)（和/英） | 均一組成 / homogeneous composition |
| キーワード(4)（和/英） | GaInSb / GaInSB |
| キーワード(5)（和/英） | 混晶 / alloy |
| キーワード(6)（和/英） | バルグ / bulk |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 明佳 / Akiyoshi Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 勝野 広宣 / Hironobu Katsuno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 昭 / Akira Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 助川 徳三 / Tokuzo Sukegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 静岡大学電子工学研究所 Research Institute of Electronics,Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1993/11/19 |
| 資料番号 | ED93-120,CPM93-91 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 326 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |