| 講演名 | 1993/11/18 STMを用いた電子デバイス(HEMT)作製プロセス 松本 和彦, 高橋 秀, 安藤 淳, 石井 正己, |
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| 抄録(和) | 走査型トンネル顕微鏡(STM)を電子デバイス作製プロセスに応用し、高電子移動度トランジスタ(HEMT)を作製した。STMの探針に金を用い、探針・基板間に直流トンネルバイアスに重畳してパルスバイアスを印加することにより、探針から金の原子群を放射し基板上に金の細線を形成した。本方法により形成した金のラインを用いてゲート電極を形成し、HEMTを作製した。 |
| 抄録(英) | Scanning Tunneling Microscope(STM)was used for the fabrication process of the electron device and High Electron Mobility Transistor(HEMT)was successfully fabricated.The tip of the STM was made of gold.When the pulse bias was applied between the tip and the substrate with DC tunneling bias,the gold was emitted from the tip to the substrate and forms the fine gold line.Using the gold fine line as the gate of the FET,HEMT was fabricated. |
| キーワード(和) | STM / AFM / HEMT / GaAS/GaAlAs / STMプロセス |
| キーワード(英) | STM / AFM / HEMT / GaAs/GaAlAs / STM process |
| 資料番号 | ED93-119,CPM93-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STMを用いた電子デバイス(HEMT)作製プロセス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication Process of Electron Device(HEMT)by STM |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(2)（和/英） | AFM / AFM |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | GaAS/GaAlAs / GaAs/GaAlAs |
| キーワード(5)（和/英） | STMプロセス / STM process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松本 和彦 / Kazuhiko Matsumoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electortechnical Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高橋 秀 / Shuu Takahashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東海大学 Tokai University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 安藤 淳 / Atsushi Ando |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 石井 正己 / Masami Ishii |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1993/11/18 |
| 資料番号 | ED93-119,CPM93-90 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |