| 講演名 | 1993/11/18 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察 , 薗田 大資, 宮本 恭幸, 古屋 一仁, |
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| 抄録(和) | 大気中STMによる半導体表面の超微細加工の基礎実験を行った。更に、半導体界面を観察した。それをする前に、半導体表面を安定化させる表要がある。我々は硫化アンモニウム[(NH_4)_2S_x]処理により平坦な表面を作って安定なSTM像を観察した。試料として、(NH_4)_2処理を30秒行ったn-InP劈開面を用いた。その表面は硫黄原子によって終端化させる。微細加工をするために、探針からパルス電圧を印加して表面に穴を開けた。穴の部分では、電圧印加により硫黄原子を取り除いてInP結晶を露出している可能性があると考える。それに、パルス・パラメータの印加電圧Vpと印加時間tpの効果を調べた。ヘテロ界面の観察について、安定にInP, GaInAs界面をSTM観測した。それで半導体界面の観測が大気中STMで可能性となり、超微細な埋込み構造などの観測への応用があると考える。 |
| 抄録(英) | A preliminary study about fabrication of nanostructures with a STM operated in air is presented.Moreover,we report also the observation of semiconductor heterointerfaces.To do this,it is necessary to passivate the semiconductor surface.We have used ammoninm sulphide£(NH_4)_2S_x!treatment to obtain flat surfaces an d stable STM images.The sample employed is a cleaved facet of n- InP treaed with(NH_4)_2S_x for 30 seconds.This surface is terminated with sulphur atoms.To effectuate nanofabrication,a voltage pulse is applied from the tip and a hole is opened in the surface.We think that the applied voltage removes the sulphur atoms in the position of the hole and the InP crystal remains exposed to air.We have also studied the effect of the pulse parameters Vp(voltage)and tp(time).About the observation of heterointerfaces,we have obtained stable images of InP, GaInAs interfaces.This means that it is possible to study semiconductor heterointerfaces with a STM operated in air,and could have application in the observation of embedded structures in the nanometer scale. |
| キーワード(和) | STM / (NH_4)_2S_x処理 / 表面加工 / InP/GaInAs / ヘテロ界面 |
| キーワード(英) | STM / (NH_4)_2S_2 TREATMENT / SURFACE MODIFICATION / InP/GaInAs / HETEROINTERFACES |
| 資料番号 | ED93-118,CPM93-89 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 大気中STMによるInP表面加工とInP/GaInAs界面の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | NANOFABRICATION OF InP SURFACES AND OBSERVATION OF InPlGaInAs HETEROINTERFACES WITH AN STM OPERATED IN AIR |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(2)（和/英） | (NH_4)_2S_x処理 / (NH_4)_2S_2 TREATMENT |
| キーワード(3)（和/英） | 表面加工 / SURFACE MODIFICATION |
| キーワード(4)（和/英） | InP/GaInAs / InP/GaInAs |
| キーワード(5)（和/英） | ヘテロ界面 / HETEROINTERFACES |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Francisco Vazquez |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 薗田 大資 / Daisuke Sonoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY |
| 発表年月日 | 1993/11/18 |
| 資料番号 | ED93-118,CPM93-89 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |