講演名 | 1993/11/18 超高真空原子間力顕微鏡によるGaAs(110)劈開面の観察 菅原 康弘, 大田 昌弘, 森田 清三, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | 試料の劈開機構を有する超高真空原子間力顕微鏡を開発し、化合物半導体の劈開表面の観察を行った。具体的には、GaAs(110)劈開表面を取り上げ、原子的分解能で観察することに初めて成功した。また、得られた原子間力顕微鏡画像では、As原子に対応する起伏がおもに観察されていると考えられ、Ga原子は観察されているかどうかは現在のところ不明である。超高真空原子間力顕微鏡がダングリングボンドのある半導体表面を原子スケールで観察できることを示した。 |
抄録(英) | The first demonstration for the atomic resolution imaging of GaAs(110)surface with ultrahigh vacuum atomic force microscope(UHV AFM)are performed.Two demensional periodic structure has been seen, in which the As atoms seems to be resolved.Therefore,the UHV AFM has the poteitial capability for investigating the semiconductor surface having dangling bonds on an atomic scale. |
キーワード(和) | 原子間力顕微鏡 / 超高頁空 / GaAs / 原子分解能 / ダングリングボンド / 再構成 |
キーワード(英) | Atomic Force Microscope / Ultra high Vacuum / GaAs / Atomic Rosolution / Dangling Bond / Roconstruction |
資料番号 | ED93-117,CPM93-88 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
---|---|
開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 超高真空原子間力顕微鏡によるGaAs(110)劈開面の観察 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Observation of Cleaved Surface of GaAs(110)with Ultrahigh Vacuum Atomic Force Microscope |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 原子間力顕微鏡 / Atomic Force Microscope |
キーワード(2)(和/英) | 超高頁空 / Ultra high Vacuum |
キーワード(3)(和/英) | GaAs / GaAs |
キーワード(4)(和/英) | 原子分解能 / Atomic Rosolution |
キーワード(5)(和/英) | ダングリングボンド / Dangling Bond |
キーワード(6)(和/英) | 再構成 / Roconstruction |
第 1 著者 氏名(和/英) | 菅原 康弘 / Yasuhiro Sugawara |
第 1 著者 所属(和/英) | 広島大学理学部物理学科 Department of Physics,Faculty of Science,Hiroshima University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 大田 昌弘 / Masahiro Ohta |
第 2 著者 所属(和/英) | 広島大学理学部物理学科 Department of Physics,Faculty of Science,Hiroshima University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 森田 清三 / Seizo Morita |
第 3 著者 所属(和/英) | 広島大学理学部物理学科 Department of Physics,Faculty of Science,Hiroshima University |
発表年月日 | 1993/11/18 |
資料番号 | ED93-117,CPM93-88 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 325 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |