講演名 1993/11/18
原子間力顕微鏡による半導体表面の溶液中、電位制御下での観察 : GaAsの電気化学エッチング過程の追跡と原子像
魚崎 浩平, 鯉沼 陸央,
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抄録(和) III-V属の化合物半導体であるヒ化ガリウム(GaAs)電極のex-situにおける化学エッチングの効果と塩酸中における電位制御下での表面構造方化をナノメーターオーダーで観察した。化学エットングでは、エッチング溶液にH_2SO_4:H_2O_2:H_2O=5:1:1およびHCl:HNO_3=1:1を使用し、エッチング溶液を浸漬する温度および時間を変化させて、構造に及ぼす効果を調べた。電極反応が起こっているその場(in-situ)観察の場合には、p-GaAsにおいて、開回路電位付近では表面構造の変化はみられなかったが、陰分極下では、表面が平坦になっていく過程が、陽分極下では、表面に台形状の構造が形成していく過程が観察できた。さらに、台形の頂上部分で(100)に対応する原子像が得られた。
抄録(英) Atomic force microscope(AFM)was employed to observe GaAs surface. We examined the effect of ex-situ chemical etching on the surface structure and performed in-situ AFM measurements during electrochemical reaction in 10 mM HCI under potential control.In the case of chemical etching,we investigated the effect of temprature and time of dip-treatment.In the case of in-situ measurements on pGaAs,no surface structure change was observed under open circuit potential,but under cathodic potential,surface structure became flat and under anodic potential,pyramidal structure was formed.On the top of the pyramidal structure,atomic image corresponding the(100)face was obtained.
キーワード(和) 原子間力顕微鏡 / GaAs / 電気化学エッチング / 化学エッチング
キーワード(英) atomic force microscope / GaAs / electrochemical etching / chemical etching
資料番号 ED93-116,CPM93-87
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1993/11/18(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 原子間力顕微鏡による半導体表面の溶液中、電位制御下での観察 : GaAsの電気化学エッチング過程の追跡と原子像
サブタイトル(和)
タイトル(英) In-situ and Real Time Maniforing of Semiconductor Surface by Atomic Force Microscope under Potential Control
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 原子間力顕微鏡 / atomic force microscope
キーワード(2)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(3)(和/英) 電気化学エッチング / electrochemical etching
キーワード(4)(和/英) 化学エッチング / chemical etching
第 1 著者 氏名(和/英) 魚崎 浩平 / Kohei Uosaki
第 1 著者 所属(和/英) 北海道大学理学部化学科
Department of Chemistry,Faculty of Science,Hokkaido University
第 2 著者 氏名(和/英) 鯉沼 陸央 / Michio Koinuma
第 2 著者 所属(和/英) 北海道大学理学部化学科
Department of Chemistry,Faculty of Science,Hokkaido University
発表年月日 1993/11/18
資料番号 ED93-116,CPM93-87
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 325
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日