| 講演名 | 1993/11/18 STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察 嘉数 誠, 小林 直樹, |
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| 抄録(和) | 高真空走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて、(001)微傾斜基板上に有機金属気相成長法(MOCVD)で成長したGaAs表面のステップ構造を観察した。MOCVD装置に結合させた真空チャンバーで成長表面をAsパッシベーションすることにより、成長表面を酸化させずに高真空STM装置へ移送し、初めて単分子層ステップを観察することができた。[110]方向に微傾斜した面上のステップ(Aステップ)は[1^^-10]方向に微傾斜した面上のステップ(Bステップ)に比べ揺らぎの大きさがほぼ2倍であることがわかった。微傾斜角度が7.0°以下の基板上で575℃以上650℃以下の成長温度範囲でステップバンチングがおこり、(001)面テラスと約10°の角度をもつファセットで構成される表面構造になった。さらに530℃で拡散係数の減少に伴う、[110]方向に約1.5倍の長半径をもった楕円形の二次元アイランドの出現を観察した。 |
| 抄録(英) | Using scanning tunneling microscopy(STM),we study the step structure of metalorganic chemical vapor deposition(MOCVD)- grown(001)GaAs on a vicinal substrate for the first time.The undulation amplitude of the monolayer steps grown on a surface misoriented in the£110!direction(A step)is about twice that of the se grown on a surface misoriented in the£1^^-10!direction(B step). On a substrate at misorientation angles≦7.0°,step bunching occurs and the vicinal surface decomposed into(001)terraces and facets on which steps bunch when 575℃≦growth temperature(Tg)≦650℃;and ell iptical islands appear between the monolayer steps due to a decrease of Ga diffusion coefficient at Tg=530℃. |
| キーワード(和) | STM / MOCVD / 単分子層ステップ / GaAs / ステップバンチング / 表面拡散 |
| キーワード(英) | STM / MOCVD / Monolayer step / GaAs / Step bunching / Surface diffusion |
| 資料番号 | ED93-115,CPM93-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning tunneling microscopy study of GaAs step structures on vicinal substrate grown by metalorganic chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | 単分子層ステップ / Monolayer step |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(5)（和/英） | ステップバンチング / Step bunching |
| キーワード(6)（和/英） | 表面拡散 / Surface diffusion |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 嘉数 誠 / Makoto Kasu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 直樹 / Naoki Kobayashi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1993/11/18 |
| 資料番号 | ED93-115,CPM93-86 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |