| 講演名 | 1993/11/18 InAs基板上のGaAs MBE成長初期過程のSTM観察 大河内 俊介, 生駒 暢之, 田中 一郎, |
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| 抄録(和) | InAs(001)基板上のGaAs MBE成長初期過程の表面構造をSTMを備えた超高真空マルチチャンバシステムを用いて評価した。この系では、約0.75ML以上のGaAsを成長することにより、成長モードは2次元から3次元へと変化する。この時、形成される3次元島はすべて[11^^-0]方向に細長い形状をしているが、更に成長量を増加した場合、この異方性は消失し、約2.0MLのGaAsを成長した場合、小さく等方的な島が再構成される。また、これらの島は、更にGaAsを成長すると、結合を繰り返し、大きく成長していくこともSTM観察等から明らかになった。 |
| 抄録(英) | The initial stages of GaAs heteroepitaxial growth on InAs substrates were investigated with an ultra-high-vacuum scanning tunneling microscope(UHVSTM)system equipped with a molecular beam epitaxy facility.An STM image of 1.0 ML a GaAs deposited InAs surface showed island formation with an island size of about ten nm x a few tens of nm,which were longer in the£11^^-0!direction.On the other hand,when 2.0 ML GaAs was deposited on the InAs surface, this anisotropy disappeared,and compact and pyramid-like islands were formed.These islands coalesced and became larger with increasing the amount of GaAs deposition. |
| キーワード(和) | STM / ヘテロエピタキシ / GaAs / InAs / 3次元島成長 / 島の結合 |
| キーワード(英) | STM / heteroepitaxy / GaAs / InAs / island formation / island coalescence |
| 資料番号 | ED93-114,CPM93-85 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs基板上のGaAs MBE成長初期過程のSTM観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scanning Tunneling Microscopy of GaAs Heteroepitaxial Growth on InAs Substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STM / STM |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロエピタキシ / heteroepitaxy |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(5)（和/英） | 3次元島成長 / island formation |
| キーワード(6)（和/英） | 島の結合 / island coalescence |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大河内 俊介 / Shunsuke Ohkouchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 光技術研究開発 Optoelectronics Technology Research Laboratory(OTL) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 生駒 暢之 / Nobuyuki Ikoma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 光技術研究開発 Optoelectronics Technology Research Laboratory(OTL) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 一郎 / Ichiro Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本板硝子 Nippon Sheet Glass Co.,Ltd. |
| 発表年月日 | 1993/11/18 |
| 資料番号 | ED93-114,CPM93-85 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |