| 講演名 | 1993/11/18 C_<60>のSTMによる移動操作 丸野 茂光, 稲永 和彦, 井須 俊郎, 布下 正宏, |
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| 抄録(和) | 清浄なSi(111)-7×7表面に吸着させたフラーレンC_60>の移動操作について検討した。この表面についてSTM探針のラスター走査によりC_60>分子の移動が起こり始めるスレッションドにおけるトンネル電流と電圧の関係を調べた。その結果、C_60>分子の移動が起こり始めるためには、探針-Si基板表面間距離にしきい高さが存在し、Pt, Ir探針とW探針の場合でその値が異なることがわかった。平行平板モデルによりしきい高さを見積もったところ、W探針の方がしきい高さが約0.2nm高くなることがわかった。W探針を用いた移動操作により、Si基板上にランダムに吸着しているC_60>分子を分配列できることを示した。 |
| 抄録(英) | Scanning tunneling microscope has been employed for positioning C_60> molecules adsorbed on Si(111)-7x7 surface.Threshold conditions at which a C_60> molecule starts moving from its adsorption site are investigated as a function of tunnel current and tip bias volage.We find that there exists threshold height for the movement process.The threshold height estimated from a planar electrode model is in agreement with the vertical height of the adsorbed C_60> molecules. |
| キーワード(和) | 走査型トンネル顕微鏡 / 移動操作 / シリコン表面 / フラーレン / しきい高さ / 原子間力 |
| キーワード(英) | STM / Atomic Manipulation / C_60> / Si(111)-7×7 surface / Thr eshold Height / Atomic Force |
| 資料番号 | ED93-112,CPM93-83 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/11/18(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | C_<60>のSTMによる移動操作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Positioning C_<60> molecules with a scanning tunneling microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 走査型トンネル顕微鏡 / STM |
| キーワード(2)（和/英） | 移動操作 / Atomic Manipulation |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン表面 / C_60> |
| キーワード(4)（和/英） | フラーレン / Si(111)-7×7 surface |
| キーワード(5)（和/英） | しきい高さ / Thr eshold Height |
| キーワード(6)（和/英） | 原子間力 / Atomic Force |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸野 茂光 / Shigemitsu Maruno |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機半導体基礎研究所 Semiconductor Research Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 稲永 和彦 / Kazuhiko Inanaga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機半導体基礎研究所 Semiconductor Research Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井須 俊郎 / Toshiro Isu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機半導体基礎研究所 Semiconductor Research Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 布下 正宏 / Masahiro Nunoshita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機半導体基礎研究所 Semiconductor Research Laboratory,Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1993/11/18 |
| 資料番号 | ED93-112,CPM93-83 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 325 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |