| 講演名 | 1993/6/25 VLSIテスタと接続したエミッション顕微鏡によるメモリLSIの故障検出率の向上 石井 達也, 内藤 健作, 宮本 和俊, |
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| 抄録(和) | DRAMを始めとするめもりLSIの微細化,高密度化に伴い,故障箇所の特定化が困難になってきている.今回,発生解析をメモリLSIのファンクション不良に応用するため,エミッション顕微鏡にVLSIテスタを接続し,故障箇所特定化率(故障検出率)の向上を図る方法を検討した.専用のテストプログラムを用いて,LSIチップをダイナミック動作させた状態で発光解析をすることにより,DC電圧のみを印加した解析に比べ,故障検出率が格段に向上することがわかった.さらに,チップ裏面からの発光解析技術に応用することで,アルミ配線に覆われた領域の発光解析も可能になり,故障検出率がさらに向上するとともに,LOC構造デバイスのファンクション不良に対して極めて有効な解析に手段になることを示す. |
| 抄録(英) | The increasing density and complexity of VLSI memories such as DRAMs,which become difficult fault locating on the chip.A technique is described for an application of photo emission microscopy to analysis of functional failures in VLSI menories using emission microscope connected with VLSI test system(ATE).The conventional photo emission microscopy technique was used static condition on the chip.This new technique due to dynamically fault isolate leakage and snapping sites,which could greatly improve fault detection efficiency as compared with conventional technique. And we applied this technique to backside photo emission inspection of silicon chip,so function failure sites under the malti-level metal layer and inner lead of LOC(Lead On Chip)on the chip can be analysed. |
| キーワード(和) | 故障解析 / エミッション顕微鏡 / VLSIテスタ / メモリLSI / DRAM |
| キーワード(英) | Failure Analysis / Emission Microscope / VLSI Test System / VLSI Memories / DRAM |
| 資料番号 | ED93-48,ICD93-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/6/25(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | VLSIテスタと接続したエミッション顕微鏡によるメモリLSIの故障検出率の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvements of Fault Detection Efficiency for Failure Analysis of VLSI Memories Using Emission Microscope Connected with VLSI Test System |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 故障解析 / Failure Analysis |
| キーワード(2)（和/英） | エミッション顕微鏡 / Emission Microscope |
| キーワード(3)（和/英） | VLSIテスタ / VLSI Test System |
| キーワード(4)（和/英） | メモリLSI / VLSI Memories |
| キーワード(5)（和/英） | DRAM / DRAM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石井 達也 / Tatsuya Ishii |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機北伊丹製作所 Kita-Itami Works,Mitsubishi Electric |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 内藤 健作 / Kensaku Naitoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 多田電機 Tada Electric |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 和俊 / Kazutoshi Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機北伊丹製作所 Kita-Itami Works,Mitsubishi Electric |
| 発表年月日 | 1993/6/25 |
| 資料番号 | ED93-48,ICD93-47 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 112 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |