| 講演名 | 1993/5/21 イオンアシストIBS法によるBi2212超伝導薄膜の結晶成長 阿部 克彦, 顔 好東, 遠藤 民生, |
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| 抄録(和) | イオンアシストIBS法によってBi系2212相超伝導薄膜の結晶成長を行った。酸素分圧1～3×10^-4>Torr、基板温度600～700℃でBiSrCaCuO系ターゲットをAr^+イオンビーム(4keV)でスパッタしてBi系薄膜をMgO(100)基板上に堆積した。薄膜成長中にアシストイオン(O^+)を照射してその効果を調べた。酸素圧を高めると組成のばらつきを小さくすることができる。アシストしない場合は薄膜はアモルファスであるが、アシストすると2201結晶が成長する。アシストした薄膜を800℃でアニールすると、2212相が形成される。これは超伝導性のρ-T特性を示し、Tc(オンセット)は91Kである。820℃でアニールすると2212相の成長が進み、Tc(ゼロ)=93Kを示した。アシストしない薄膜を同様にアニールしても不純物相しか形成されず超伝導性を示さない。イオンアシストの効果として、表面マイグレーションと酸化の促進が考えられる。 |
| 抄録(英) | BiSrCaCuO thin films were deposited by ion assisted IBS to obtain-superconducting 2212 phase.A target of BiSrCaCuO ceramic was sputtered on MgO(100) substrate at oxygen partial pressures of l-3XlO^-4> Torr at substrate temperatures of 600-700℃.During the film growth,the substrate was irradiated by the assisting ions of O^+,and its effect was examined.A scattering of film composition can be reduced by increasing the oxygen pressure.The films are amorphous without assisting,however 2201 crystal phase is grown by assisting.When the assisted films are annealed at 800℃,the 2212 cr ystal phase is grown.This film shows superconducting ρ-T character istics and T_c,ON>=91K.The growth of the 2212 phase is promoted by annealing at 820℃ and the film shows T_c,ZERO>=93K.However,whe n the non-assisted films are annealed by the same way impurity phase are only grown and they show no superconducting properties. Promotions of a surface migration and oxydation are expected as effects of the ion assisting. |
| キーワード(和) | イオンアシストIBS / Bi系超伝導薄膜 / 2212相結晶成長 / 2201相 / XRD / Tc93K |
| キーワード(英) | ion assisted IBS / Bi superconducting thin film / 2212 phase / 2201 phose / XRD / Tc93K |
| 資料番号 | ED93-34,CPM93-25 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンアシストIBS法によるBi2212超伝導薄膜の結晶成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystal growth of Bi2212 superconducting thin films by ion- assisted IBS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンアシストIBS / ion assisted IBS |
| キーワード(2)（和/英） | Bi系超伝導薄膜 / Bi superconducting thin film |
| キーワード(3)（和/英） | 2212相結晶成長 / 2212 phase |
| キーワード(4)（和/英） | 2201相 / 2201 phose |
| キーワード(5)（和/英） | XRD / XRD |
| キーワード(6)（和/英） | Tc93K / Tc93K |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 阿部 克彦 / Katsuhiko Abe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 顔 好東 / Haodong Yan |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 遠藤 民生 / Tamio Endo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Department of Electrical and Electronic Engineering,Faculty of Engineering,Mie University |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-34,CPM93-25 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |