| 講演名 | 1993/5/21 半絶縁性GaAs受光素子の波長感度特性 杉本 賢一, 中嶋 和利, 廣畑 徹, 水島 宜彦, |
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| 抄録(和) | 半絶縁性GaAs(SI GaAs)基板を能動層として用いた非常に狭い波長領域でのみ感度を生ずる受光素子Band-Edge-Emphasizing Photodetector(BEPD)について報告する。この素子は、照射する光波長における吸収係数の逆数とSI GaAs基板の厚さがほぼ等しくなるときのみ光電流が流れるという原理と、半導体のバンド端吸収がフォトン・エネルギーに依存して急激に変化するという点を利用して作製されている。原理は、SI GaAs中を2つの互いに直列接続された領域に分けて考えるモデルにより説明することができる。また、SI GaAsに特長的な、1.1μm～1.5μm近赤外波長領域における光感度、および電流増倍機構について報告する。 |
| 抄録(英) | Photodetector having a sensitivity only in a narrow-wavelength region is fabricated by utilizing a semi-insulating GaAs (SI GaAs) as the active layer.The photocurrent is observed only when the reciprocal absorption coefficient nearly equals to the SI GaAs thickness,based on the steep change of the absorption coefficient. The mechanism is explained by a model composed of two different parts,conncted in series,in the active layer.An optical sensitivity in a near-infrared region of 1.1μm-1.5μm is also desc ribed. |
| キーワード(和) | 半絶縁性GaAs / 光感度 / 禁制帯幅 / アバランシ / 電流増倍 / 吸収係数 |
| キーワード(英) | SI GaAs / optical sensitivity / bandgap / absorption coefficient / avalanche / current multiplication |
| 資料番号 | ED93-32,CPM93-23 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 半絶縁性GaAs受光素子の波長感度特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Band-Edge-Emphasizing Photodetector |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半絶縁性GaAs / SI GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | 光感度 / optical sensitivity |
| キーワード(3)（和/英） | 禁制帯幅 / bandgap |
| キーワード(4)（和/英） | アバランシ / absorption coefficient |
| キーワード(5)（和/英） | 電流増倍 / avalanche |
| キーワード(6)（和/英） | 吸収係数 / current multiplication |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 杉本 賢一 / Ken-ichi Sugimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス Hamamatsu Photonics |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中嶋 和利 / Kazutoshi Nakajima |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス Hamamatsu Photonics |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 廣畑 徹 / Toru Hirohata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス Hamamatsu Photonics |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水島 宜彦 / Yoshihiko Mizushima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス Hamamatsu Photonics |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-32,CPM93-23 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |