講演名 | 1993/5/21 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ 石田 明広, 櫻井 伸弘, 藤安 洋, |
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抄録(和) | PbSrS、PbSrSe及びPbSrTe薄膜をホットウォール蒸着法を用いて作製し、バンドギャップ、格子定数、電気的特性等の諸特性を測定した。これらの薄膜のSr組成に対するバンドギャップ増加率dEg/dxは、Sr組成の小さいところでは、それぞれ7.5eV、2.5eV、3.6eVとなり、PbSrSの場合はかなり大きな値を示した。格子定数のSr組成依存性では、特にSr組成10%以下のPbSrSeにおいては小さく、PbSrS/Pbs及びPbSrSe/PbSe系では格子整合の比較的良いヘテロ接合が作製できることが分かった。PbSrS/Pbs及びPbSrTe/PbTeダブルヘテロ型レーザを作製し、それぞれ245k(2.97μm)、227k(413.μm)までのレーザパルス動作が得られた。また、PbSrS/Pbs多重料紙井戸レーザ作製し、DHレーザに比べ電流しきい値の低減が確認され、255k(2.80μm)までのレーザパルス動作も得られた。 |
抄録(英) | |
キーワード(和) | ホットウォール / 赤外線レーザ / IV-VI族半導体 / ストロンチウム / ナロギャップ |
キーワード(英) | Hot wall epitaxy / Infrared laser / IV-VI compound / Storontium / Narrow gap |
資料番号 | ED93-31,CPM93-22 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 鉛ストロンチウムカルコゲナイド薄膜の特性と赤外線レーザ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Characterization of Lead-Strontium Chalcogenide Films and Their Infrared Laser Application |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ホットウォール / Hot wall epitaxy |
キーワード(2)(和/英) | 赤外線レーザ / Infrared laser |
キーワード(3)(和/英) | IV-VI族半導体 / IV-VI compound |
キーワード(4)(和/英) | ストロンチウム / Storontium |
キーワード(5)(和/英) | ナロギャップ / Narrow gap |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石田 明広 / Akihiro Isida |
第 1 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering,Shizuoka,University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 櫻井 伸弘 / Nobuhiro Skurai |
第 2 著者 所属(和/英) | 静岡大学大学院電子科学研究科 Graduate School of Electronic Science &Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 藤安 洋 / Hiroshi Fujiyasu |
第 3 著者 所属(和/英) | 静岡大学工学部 Faculty of Engineering,Shizuoka,University |
発表年月日 | 1993/5/21 |
資料番号 | ED93-31,CPM93-22 |
巻番号(vol) | vol.93 |
号番号(no) | 46 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |