| 講演名 | 1993/5/21 プラズマCVD法で作製したSiN_x膜のXPSによる解析 松木 英夫, 星野 浩一, 田口 隆志, 上野 祥樹, 服部 正, |
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| 抄録(和) | プラズマCVD法で成膜したSiN_x膜をXPSを用いて解析した。材料ガスにはSiH_4,H_2、NH_3及びN_2を用い、成膜温度は350℃以下とした。SiN_x膜中には、Si-N_nSi_4-n>(n=0,…,4)で表されるSi中心の4面体であるサブライトライドが存在すると仮定できる。このサブライトライドがそれぞれ結合エネルギーの異なるSi2pピークを持つとすると、Si2pピークは、各サブナイトライドのピークの重ね合わせで表すことができる。成膜温度の上昇と共に、Si-N_3Siの増加が観察されたがSi-N_4には顕著な変化は見られなかった。又、成膜温度の上昇に従って、誘電率の増加、BHFエッチングレート及び膜中水素量の減少が見られた。 |
| 抄録(英) | We presented an x-ray photoelectron spectroscopy(XPS)study of silicon nitride(SiN_x)films.SiN_x films were deposited by plasma- CVD using SiH_4, H_2,NH_3 and N_2 as the source gases below 350℃.T he chemically shift of Si 2p line can be interpreted as a superposition of subnitride lines;Si-N_nSi_4-n>(n=O,...,4).The Si- N_3Si concentration increased with the depositon temperature rising,however,the Si-N_4 concentration did notshow apparent change.The dielectric constant also increased,buffered HF etching rate and the total hydrogen concentration of the films measured by FT-IR decreased with the temperature rising. |
| キーワード(和) | SiN_x膜 / P-CVD / XPS / FT-IR / エッチングレート |
| キーワード(英) | SiN_x film / P-CVD / XPS / FT-IR / etching rate |
| 資料番号 | ED93-26,CPM93-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVD法で作製したSiN_x膜のXPSによる解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of plasma-deposited SiN_x film using XPS |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SiN_x膜 / SiN_x film |
| キーワード(2)（和/英） | P-CVD / P-CVD |
| キーワード(3)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(4)（和/英） | FT-IR / FT-IR |
| キーワード(5)（和/英） | エッチングレート / etching rate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松木 英夫 / Hideo Matsuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Nippondenso Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 星野 浩一 / Kouichi Hoshino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Nippondenso Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田口 隆志 / Takashi Taguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Nippondenso Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上野 祥樹 / Yoshiki Ueno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Nippondenso Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 服部 正 / Tadashi Hattori |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電装基礎研究所 Nippondenso Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-26,CPM93-17 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |