| 講演名 | 1993/5/21 Si_2H_6と固体Geソースを用いたSiGe/Siの成長 和戸 弘幸, 石田 誠, 中村 哲郎, |
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| 抄録(和) | ガスソース法におけるGeH_4の危険性と固体ソース法におけるGeの表面偏析を考慮し、Si_2H_6とGe固体ソースとを組み合わせた新しい混成ソースMBE法により安全かつ容易にSiGe,Si成長可能であることを確認した。SiGe成長膜は結晶性、平坦性とも良好であった。Ge濃度はSi_2H_6成長圧力およびGeのKnudsen cell温度により制御可能である。表面偏析については、in-situ XPSにおける分析角依存性により確認されたが、Si_2H_6の成長律速状態によりその表面のGe濃度分布には差異があることが分かった。これは成長時における表面水素被覆率が異なり、水素サーファクタント効果の違いによるものだと推測できる。 |
| 抄録(英) | In a gas source,GeH_4 is poisonous gas and must be handles with care.On the other hand,in a solid source,hetero-interface is mixed by segregation.It is confirmed that SiGe, Si structures can be easily and safely grown by a new mixed-source MBE with both a Si_ 2H_6 gas and a Ge solid source.SiGe epitaxial films had plain surface morphology and good crystalline quality.Ge ratios can be controlled by changing of a Si_2H_6 growth pressure and a Knudsen cell temperature.Using in-situ angle resolved XPS analysis,Ge segregation was confirmed,but the distribution of Ge concentration on the surface depended on the Si_2H_6 growth states,which consisted of the diffusion-limited regime and the surface-reaction- limited regime.It can be supposed that this results come from the difference in the hydrogen surfactant effect based on the difference in covering the surface area with hydrogen. |
| キーワード(和) | 固体ソース / Si_2H_6ガス / XPS分析 / エピタキシャルSiGe / 表面偏析 / 水素 サーファクタント |
| キーワード(英) | Solid source / Si_2H_6 / XPS analysis / Epitaxial SiGe / segregation / hydrogen surfactant effect |
| 資料番号 | ED93-25,CPM93-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si_2H_6と固体Geソースを用いたSiGe/Siの成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SiGe/Si stractures grown with Si_2H_6 gas source and Ge solid source |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固体ソース / Solid source |
| キーワード(2)（和/英） | Si_2H_6ガス / Si_2H_6 |
| キーワード(3)（和/英） | XPS分析 / XPS analysis |
| キーワード(4)（和/英） | エピタキシャルSiGe / Epitaxial SiGe |
| キーワード(5)（和/英） | 表面偏析 / segregation |
| キーワード(6)（和/英） | 水素 サーファクタント / hydrogen surfactant effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 和戸 弘幸 / Hiroyuki Wado |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石田 誠 / Makoto Ishida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中村 哲郎 / Tetsuro Nakamura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-25,CPM93-16 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |