| 講演名 | 1993/5/21 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果 高木 康文, 八谷 佳明, 朴 康司, 米津 宏雄, |
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| 抄録(和) | Si(100)基板上にMBE法で成長させたGaAsエピ層の転位密度の低減を計るために950℃及び1050℃の高温熱アニールを行った。断面TEM観察の結果から、高温熱アニールによってGaAsエピ層の転位は大幅に減少することがわかった。これは、高温における転位の移動速度の増加、及び空格子濃度の増加に伴って転位の上昇運動が促進されたことによると思われる。また、GaAs,Si界面と平行に伸びる転位が観察された。一方、SIMS分析の結果よりGaAsエピ層内へのSi原子の拡散が見出された。そのSi原子の拡散距離とGaAs/Si界面と平行に伸びる転位の界面からの離距がほぼ一致した。このことより、GaAs/Si界面と平行に伸びる転位は熱アニール時のSi原子の拡散のために転位の運動が妨げられたために形成されたと考えられる。これらの結果から、熱アニールによる転位低減のモデルを考察した。 |
| 抄録(英) | The effects of reduction of dislocation densities in GaAs films grown on Si(100)substrates by high temperature annealing have been investigated by cross-sectional transmission electron microscopy and secondary ion mass spectroscopy.It was found that the dislocation density in annealed GaAs-on-Si was remarkably reduced by TEM observations.This phenomenon could be caused by increase of a velocity of the dislocation motion and enhancement of a climb motion of the dislocation associated with vacancies at high temperature.Furthermore,the dislocations which run parallel to the GaAs, Si interface were observed.The diffusion of Si atoms into the GaAs epi layer was observed by SIMS measurement.The diffusion front of Si atoms was almost equal to the distance between the GaAs/Si interface and the location of the dislocations which run parallel to the GaAs/Si interface.Therefore,the formation of the dislocafions parallel to the GaAs/Si interface was closely related to the diffusion of Si atoms.From these results,we propose a mechanism of reduction of the dislocation densifies by annealing. |
| キーワード(和) | GaAs/i / 転位 / 高温熱アニール / 断面TEM / SIMS |
| キーワード(英) | GaAs/i / dislocation / high temperature annealing / cross- sectional TEM / SIMS |
| 資料番号 | ED93-24,CPM93-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of dislocation densities in GaAs films on Si(100)by high temperature annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs/i / GaAs/i |
| キーワード(2)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | 高温熱アニール / high temperature annealing |
| キーワード(4)（和/英） | 断面TEM / cross- sectional TEM |
| キーワード(5)（和/英） | SIMS / SIMS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高木 康文 / Yasufumi Takagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 八谷 佳明 / Yoshiaki Hachiya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 朴 康司 / Kangsa Pak |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 米津 宏雄 / Hiroo Yonezu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 Toyohashi University of Technology |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-24,CPM93-15 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |