| 講演名 | 1993/5/21 Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザの作製 出口 常正, 長谷川 義晃, 江川 孝志, 神保 孝志, 梅野 正義, |
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| 抄録(和) | MOCVD法を用いて、Si基板上にAlGaAs,GaAs面発光レーザを作製した。この面発光レーザにおいては基板内部(Si基板側)および基板表面(光出射側)の反射鏡としてそれぞれ分布反射(DBR)型のAlAs/GaAs半導体多層膜およびAu-Zn/Au金属反射鏡を用いた。また、活性層はAlGaAs/GaAs分離閉じ込め単一量子井戸構造とした。このレーザを周期:1μsec、幅:0.1μsec.の条件においてパルス動作させたところ、室温でしきい値電流値79mA、しきい値電流密度4.9kA/cm^2のレーザ発振動作を確認した。このときの発振波長は84lnmであった。今後、微小体積活性層の導入や活性層厚の最適化、反射鏡の高反射率化などを施すことによりパルス動作における低しきい値化をはかり、室温連続発振が得られるものと思われる。 |
| 抄録(英) | We have fabricated an AlGaAs, GaAs separate confinement heterostructure single,-quantum-well surface emitting laser on Si substrate by MOCVD.AlAs/GaAs semiconductor multi-layers of distributed Bragg reflector structure and nonalloyed Au-Zn/Au metal reflector were used as the reflection mirrors for inner substrate(Si substrate side)and surface substrate light output side),respectively.The laser has exhibited the pulsed Ihreshold current as low as 79 mA(the Ihreshold current density as low as 4. 9 kA/cm^2)at room temperature under the pulsed condition(the cycle: 1μsec.,the width:O.1μsec.).The peak spectrum was 841 nm.Major imp rovements in the active layer structure and the reflecting mirror are still necessary for room- temperature CW operation. |
| キーワード(和) | MOCVD / Si上GaAs / 面発光レーザ / AlAs/aAs DBR / 室温パルス発振 |
| キーワード(英) | MOCVD / GaAs/i substrate / Surface emitting laser / AlAs/aAs DBR / room temperature pulsed exciation |
| 資料番号 | ED93-23,CPM93-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/5/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si基板上AlGaAs/GaAs面発光レーザの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaAs/GaAs surface emitting laser on Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | Si上GaAs / GaAs/i substrate |
| キーワード(3)（和/英） | 面発光レーザ / Surface emitting laser |
| キーワード(4)（和/英） | AlAs/aAs DBR / AlAs/aAs DBR |
| キーワード(5)（和/英） | 室温パルス発振 / room temperature pulsed exciation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 出口 常正 / Tsunemasa Deguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長谷川 義晃 / Yoshiaki Hasegawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 神保 孝志 / Takashi Jinbo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 梅野 正義 / Masayoshi Umeno |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 Nagoya institute of technology |
| 発表年月日 | 1993/5/21 |
| 資料番号 | ED93-23,CPM93-14 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 46 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |