| 講演名 | 1993/4/23 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化 渡邊 祐, 中舎 安宏, 今西 健治, 滝川 正彦, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルダイオード(RTD)とHEMTのエピタキシャル成長技術における縦積型モノリシック集積技術を検討し、RTD-HEMT SRAMセルを試作した。その結果、RTDの特性として室温でピーク対バレイ電流比5.1、パーク電流密度220A,cm^2が、同一ウェハ上のゲート長1μm HEMTの特性として相互コンダクタンス430mS/mmがそれぞれ得られた。SRAMセルは、縦積構造のため1トランジスタ分に収まり、電源電圧0.6～1.1Vの範囲で論理振幅約0.5Vの双安定性を確認すると共に消費電力3μW(電源電圧1V)を得た。これにより、メガビット規模のSRAMを化合物半導体デバイスで実現する見通しを得た。 |
| 抄録(英) | In this paper we report the first monolithic integration of InGaAs, InAlAs resonant tunneling diode(RTD) and high electron mobility transistor (HEMT) epitaxially grown on an InP substrate. The transconductance for a 1-μm HEMT was 430 mS/mm and the peak-to -valley current ratio of the RTD was 5.1.Using this integrated structure,we demonstrate a static RAM cell circuit,consisting of a single transistor with two RTDs on the transistor.The memory cell circuit exhibits bistability,based on the RTD′s negative different ial resistance,at supply voltage from 0.6 to 1.1V. |
| キーワード(和) | 共鳴トンネルダイオード / HEMT / 論理回路 / メモリ / InGaAs / InAlAs |
| キーワード(英) | resonant tunneling diode / HEMT / logic / SRAM / InGaAs / InAlAs |
| 資料番号 | ED93-9 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/4/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 共鳴トンネルダイオードとHEMTのモノリシック集積化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on monolithic integration of resonant tunneling diodes and HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 共鳴トンネルダイオード / resonant tunneling diode |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 論理回路 / logic |
| キーワード(4)（和/英） | メモリ / SRAM |
| キーワード(5)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(6)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡邊 祐 / Yuu Watanabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中舎 安宏 / Yasuhiro Nakasha |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 今西 健治 / Kenji Imanishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 滝川 正彦 / Masahiko Takikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通研究所 Fujitsu Laboratories |
| 発表年月日 | 1993/4/23 |
| 資料番号 | ED93-9 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 12 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |