| 講演名 | 1993/10/21 InSbのSi上エピタキシアル成長 大場 博文, 針生 尚, 小野 昭一, |
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| 抄録(和) | 放電プラズマを用いた低温エピタキシアル成長であるPAE法(Plasma-Assisted Epitaxy)による、Si基板上へのInSbのヘテロエピタキシアル成長と、成長前の基板表面の清浄化に関するいくつかの実験結果を報告する。反射高速電子線回折(RHEED)による観測により、水素プラズマ照射によるSi表面の清浄化における表面処理法の違いが、成長膜の特性に及ぼす効果について調べ、この結果Si清浄化処理後のAs照射がSi表面を不活性化する方法として有効であり、この処理をおこなったSi(111)基板上にInSbをエピタキシアル成長させることが可能であることがわかった。 |
| 抄録(英) | InSb has been epitaxially grown directly on Si by plasma- assisted epitaxy(PAE)in discharging plasma.Furthermore some experiments related to Si surface cleaning prior to epitaxial growth were carried out.Reflection high-energy electron diffraction(RHEED)studies indicate that the property of InSb films is critically affected by the method of cleaning using hydrogen plasma exposure.Arsenic exposure following Si surface cleaning is effective in surface passivation and makes the epitaxial growth of InSb possible on Si(111). |
| キーワード(和) | InSb / PAE法 / Si表面清浄化 / 水素プラズマ照射 / As照射 / RHEED |
| キーワード(英) | InSb / PAE / Si surface cleaning / hydrogen plasma exposure / As exposure / RHEED |
| 資料番号 | ED93-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InSbのSi上エピタキシアル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of InSb on Si |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | PAE法 / PAE |
| キーワード(3)（和/英） | Si表面清浄化 / Si surface cleaning |
| キーワード(4)（和/英） | 水素プラズマ照射 / hydrogen plasma exposure |
| キーワード(5)（和/英） | As照射 / As exposure |
| キーワード(6)（和/英） | RHEED / RHEED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大場 博文 / Hirofumi Ohba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 針生 尚 / Takashi Haryuu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学工学部電子工学科 Department of Electronic Engineering,Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小野 昭一 / Shoichi Ono |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所 Research Institute of Electrical Communication,Tohoku University |
| 発表年月日 | 1993/10/21 |
| 資料番号 | ED93-104 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 285 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |