| 講演名 | 1993/10/21 AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析 中田 俊司, 活田 健治, 山本 真史, 水谷 孝, 富沢 雅彰, |
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| 抄録(和) | 横方向にAlGaAs, GaAs界面を持つ埋め込み細線をウエットエッチングとMOCVD再成長により作製した。埋め込み細線の電流が流れなくなる臨界線幅は0.1μm程度であり、エッチングのみの細線と比較し1/3に低減された。またシュブニコフドハース振動のランダウプロットから得られる1次元量子準位間隔の値は2.8meVでありエッチングのみの細線と比較し2倍以上大きな値が得られた。これらの結果は、埋め込み量子細線構造が電子の強い閉じ込めに有効である事を示している。また2次元ポアッソンの方程式をセルフコンシステントに解く事により、埋め込み細線とエッチング細線のポテンシャルプロファイルをそれぞれ計算した。求めたポテンシャルプロファイルより計算した量子準位間隔は実験により求めた値とよく一致する事が示された。 |
| 抄録(英) | Buried wires with lateral interfaces consisting of AlGaAs, GaAs heterointerfaces have been fabricated using wet etching and regrowth by MOCVD.The critical width of the buried wires was decreased to 0.1μm,which was less than third of that of as-etched wires.The energy separation of one-dimensional subbands obtained from the Landau plots of Shubnikov-de Haas oscillations for the buried wires was increased to 2.8 meV,which was about two times larger than that of the as-etched wire.These results show that the buried quantum wire structure improves electrical transport properties.The two-dimensional simulation using the Poisson equation was performed to obtain the potential profile of wires and the quantum energy levels corresponding to the lateral confinement were calculated.It was shown that the calculated energy separations were in good agreement with the experimental ones. |
| キーワード(和) | 埋め込み量子細線 / 再成長 / 量子準位間隔 / 2D シミュレーション |
| キーワード(英) | Buried quantum wires / Regrowth / Quantum energy sepavation / 2D Simulation |
| 資料番号 | ED93-103 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaAs/GaAs埋め込み量子細線の伝導特性と閉じ込めポテンシャルの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transport properties of AlGaAs/GaAs buried wires and analysis of confinement potential |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 埋め込み量子細線 / Buried quantum wires |
| キーワード(2)（和/英） | 再成長 / Regrowth |
| キーワード(3)（和/英） | 量子準位間隔 / Quantum energy sepavation |
| キーワード(4)（和/英） | 2D シミュレーション / 2D Simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中田 俊司 / Shunji Nakata |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 活田 健治 / Kenji Ikuta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山本 真史 / Masafumi Yamamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水谷 孝 / Takashi Mizutani |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 富沢 雅彰 / Masaaki Tomizawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratory |
| 発表年月日 | 1993/10/21 |
| 資料番号 | ED93-103 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 285 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |