| 講演名 | 1993/10/21 AlGaAs/GaAs多重量子細線の作製 若林 信一, 東郷 仁磨, 成沢 忠, 豊田 幸雄, |
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| 抄録(和) | 低次元量子効果デバイスの作製に必要となる超微細構造形成のため,制御性・均一性に優れた方法として2段階エッチング,MBE法による埋め込み成長,再成長界面への硫黄処理を検討した.細線幅が20nm以下で縦方向のサイズゆらぎの少ない埋め込み型のAlGaAs, GaAs多重量子細線構造を形成した.また,これらの方法を用いたAlGaAs/GaAs多重細線レーザ構造を試作し,電流注入による細線部分からの発光と吸収スペクトルから細線化による量子効果を確認した. |
| 抄録(英) | We have investigated the fabrication and estimation techniques of low dimensional semiconductor structures such as quantum wires(QWRs).An AlGaAs, GaAs multi-QWRs laser structure has been fabricated using new two-step etching technique and MBE regrowth. The active region of the laser has QWRs with width of 20 nm.And the QWRs widths are quite uniform in the vetical direction.A blue shift in electroluminecsence from the multi-QWRs is observed. |
| キーワード(和) | 量子細線 / 埋め込み成長 / 半導体レーザ / MBE / AlGaAs / GaAs |
| キーワード(英) | quantum wire / regrowth / laser diode / MBE / AlGaAs / GaAs |
| 資料番号 | ED93-102 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaAs/GaAs多重量子細線の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of AlGaAs/GaAs multi-quantum wires structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(2)（和/英） | 埋め込み成長 / regrowth |
| キーワード(3)（和/英） | 半導体レーザ / laser diode |
| キーワード(4)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(5)（和/英） | AlGaAs / AlGaAs |
| キーワード(6)（和/英） | GaAs / GaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若林 信一 / Shin-ichi Watabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 光技術研究開発 Optoelectronics Technology Research |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 東郷 仁磨 / Hitomaro Tougou |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成沢 忠 / Tadashi Narusawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業半導体研究センター Semiconductor Research Center,Matsushita Electric |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 豊田 幸雄 / Yukio Toyoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 光技術研究開発 Optoelectronics Technology Research |
| 発表年月日 | 1993/10/21 |
| 資料番号 | ED93-102 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 285 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |