講演名 1993/10/21
ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
本郷 廣生, 宮本 恭幸, 鈴木 淳, 船山 美也子, 古屋 一仁,
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抄録(和) ダブルスリットによるホットエレクトロンの干渉の観測のための素子構造を提案した。この素子の実現にむけて微細加工技術を開発した。作製技術としてタングステンマークを用い再成長の前後の電子ビーム露光の重ね合わせを行い、メサ構造中に100nm周期のグレーティングを形成した。そして位置合わせ精度100nmをはじめて実現した。検出のための50nmピッチの微細電極をメサ構造上に形成した。この形成には多層レジストを用いた。また2段階ウェットケミカルエッチングとOMVPEによる再成長を用いて50nmピッチのInP埋め込み構造を実現した。
抄録(英) We proposed a device for observing the hot electron interference by the double slit.To this purpose we had refined and improved the fabrication techniques especially the electron beam lithography.As the fabrication technique,alignment of electron beam lithography between before and after crystal growth with accuracy of 100nm was reported for the first time.We could form the detection electrodes of 50nm pitch on mesa structure.The formation of 50nm pitch InP buried structure was also reported.
キーワード(和) 電子波デバイス / ホットエレクトロン / 電子ビーム露光 / InP埋め込み構造 / 微細 電極 / タングステンマーク
キーワード(英) electron wave devices / hot electron / electron beam lithography / InP buried structure / fine electrodes / tungsten marks
資料番号 ED93-101
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1993/10/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ホットエレクトロンの回折/干渉素子のための微細加工技術
サブタイトル(和)
タイトル(英) Ultrafine fabrication technique for hot electron interference/ difraction devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 電子波デバイス / electron wave devices
キーワード(2)(和/英) ホットエレクトロン / hot electron
キーワード(3)(和/英) 電子ビーム露光 / electron beam lithography
キーワード(4)(和/英) InP埋め込み構造 / InP buried structure
キーワード(5)(和/英) 微細 電極 / fine electrodes
キーワード(6)(和/英) タングステンマーク / tungsten marks
第 1 著者 氏名(和/英) 本郷 廣生 / Hiroo Hongo
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 鈴木 淳 / Jun Suzuki
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 船山 美也子 / Miyako Funayama
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学工学部電気電子工学科
Department of Electrical and Electronics Engineering,Faculty of Engineering,Tokyo Institute of Technology
発表年月日 1993/10/21
資料番号 ED93-101
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 285
ページ範囲 pp.-
ページ数 7
発行日