| 講演名 | 1993/10/21 InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討 冨士原 明, 恩田 和彦, 宮本 広信, 佐本 典彦, 葛原 正明, |
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| 抄録(和) | InAlAs, InGaAs HJFET用高信頼性ゲート検討として、n-In_0.52>Al_0.48>As上にTi/Pt/Au、Mo/Ti/Pt/Auをそれぞれ蒸着することによりショットキー・ダイオードを作製し、その初期特性および熱的安定性を評価した。蒸着後のMo/Ti/Pt/Au素子においては障壁高さφ_Bが0.60eV、理想因子n値は1.17と良好なショットキー特性が得られることを確認した。さらに、熱処理により、Ti/Pt/Au素子ではショットキー特性が劣化するのに対し、Mo/Ti/Pt/Au素子では極めて安定していることがわかった。この高い安定性は、Moが、Ti/InAlAs界面で起こるTiとInの相互拡散を抑制するためであると考えられる。以上の結果より、Moはこの材料系の高信頼性ゲート材料として有望であることが分かる。 |
| 抄録(英) | Highly reliable gate electrodes are required for InAlAs, InGaAs HJFET′s.In this work,two types of Schottky diodes were fabricated by evaporation and lift-off technique;they are Au/Pt/Ti/n-In_0.52> Al_0.48>As/InP and Au/Pt/Ti/Mo/n-In_0.52>Al_0.48>As/InP.Their thermal stability has been evaluated.Au/Pt/Ti/Mo/InAlAs exhibited good Schottky characteristics with a barrier height of 0.60eV and an ideality factor of 1.17.After the heat treatment over 300℃,the Au/Pt/Ti/Mo-diodes kept the good Schottky characteristics while the Au/Pt/Ti-diodes showed the degradation of their Schottky characeteristics.The high thermal stability of Au/Pt/Ti/Mo-diodes is attributed to the reduction of the interdiffusion between Ti and In by Mo insertion at the metal/semiconductor interface.These results indicate that Mo is a good Schottky metal with the excellent thermal stability for InAlAs/InGaAs HJFET′s. |
| キーワード(和) | ショットキー / 電界効果トランジスタ / InAlAs / Mo / ゲート / InP |
| キーワード(英) | Schottky / FET / InAlAs / Mo / Gate / InP |
| 資料番号 | ED93-98 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAlAs/InGaAs系FET用高信頼Moゲート電極の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on Highly Reliable Mo Gate Electrodes for InAlAs/InGaAs FET′ s |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー / Schottky |
| キーワード(2)（和/英） | 電界効果トランジスタ / FET |
| キーワード(3)（和/英） | InAlAs / InAlAs |
| キーワード(4)（和/英） | Mo / Mo |
| キーワード(5)（和/英） | ゲート / Gate |
| キーワード(6)（和/英） | InP / InP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 冨士原 明 / Akira Fujihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電気関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory,NEC Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 恩田 和彦 / Kazuhiko Onda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory,NEC Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮本 広信 / Hironobu Miyamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日本電気関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory,NEC Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 佐本 典彦 / Norihiko Samoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電気関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory,NEC Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日本電気関西エレクトロニクス研究所 Kansai Electronics Research Laboratory,NEC Corporation |
| 発表年月日 | 1993/10/21 |
| 資料番号 | ED93-98 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 285 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |