| 講演名 | 1993/9/17 高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析 大倉 康幸, 水田 博, 大部 功, 加賀谷 修, 片山 弘造, 井原 茂男, |
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| 抄録(和) | 高濃度n-GaASドープチャネルの300Kでの低電界輸送特性をモンテカルロシミュレーションにより解析した。深さ方向に量子化した2次元ガスの遮蔽効果をとりいれたクーロンポテンシャルを用いて、電子不純物相互作用を求めることにより、電子移動度の面積当りの電子濃度依存性とn-GaAs層の層厚依存性を調べた。電子濃度が低いときは、電子濃度の増加とともに移動度が大きくなり、その値は層厚に依存しないこと、電子濃度が高いときは、移動度がバルクの値に近づくことを示した。これらのことは2次元系から3次元系への遷移から説明でき、さらに実験からも確認できた。 |
| 抄録(英) | Low field electron transport properties in heavily-doped n-GaAs channels at 300K are investigated by Monte Carlo simulation.The matrix element for electron-impurity scattering is obtained from the Fourier-transformed Coulomb potential accounting for the screening effects of the two-dimensional electron gas.Electron mobility is calculated for several values of sheet electron density and n-GaAs thickness.For low electron density,the calculated mobility increases with the sheet electron density,and is almost independent of n-GaAs thickness.For high electron density,the mobility approaches a constant value.These findings are explained as a transition from two- to three-dimensional nature for the first time,and well confirmed by our experiments. |
| キーワード(和) | 高濃度ドープn-GaAsチャネル / モンテカルロ / 電子移動度 / 不純物散乱 / 2次元 ガス |
| キーワード(英) | heavily-doped n-GaAs channels / Monte Carlo / electron mobility / impurity scattering / two-dimensional electron gas |
| 資料番号 | ED93-95,SDM93-109,VLD93-50 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/9/17(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高濃度ドープチャネル移動度の電子濃度依存性解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The numerical analysis of the sheet electron density dependent mobility in n-GaAs heavily doped channels |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高濃度ドープn-GaAsチャネル / heavily-doped n-GaAs channels |
| キーワード(2)（和/英） | モンテカルロ / Monte Carlo |
| キーワード(3)（和/英） | 電子移動度 / electron mobility |
| キーワード(4)（和/英） | 不純物散乱 / impurity scattering |
| キーワード(5)（和/英） | 2次元 ガス / two-dimensional electron gas |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大倉 康幸 / Yasuyuki Ohkura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水田 博 / Hiroshi Mizuta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大部 功 / Isao Ohbu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 加賀谷 修 / Osamu Kagaya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 片山 弘造 / Kozo Katayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 井原 茂男 / Shigeo Ihara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi Ltd |
| 発表年月日 | 1993/9/17 |
| 資料番号 | ED93-95,SDM93-109,VLD93-50 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 217 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |