| 講演名 | 1993/9/17 透過行列法を用いた反転層における電子輸送現象の解析 M.B Patil, 奥山 裕, 大倉 康幸, 鳥谷部 達, 井原 茂男, |
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| 抄録(和) | MOS反転層における電子輸送を量子効果を考慮して解析するための精密かつ高速な解析法として透過行列(TM)法を開発した。入射モードと出射モード間の遷移確率と出射までの所要時間を計算し,電子の運動を追跡する。このTM法はモンテカルロ(MC)法と同等に精度を保ちつつ,計算時間を短縮することが可能である。一様電界の場合ではTM法とMC法の結果は良く一致した。TM法では計算時間はMC法に比べ1, 6以下に短縮できた。TM法をモンテカルロシミュレータに接続させることにより,量子効果を扱えかつ高速なデバイスシミュレータを構成することが可能であることを明らかにした。 |
| 抄録(英) | A ′Transmission Matrix′(TM)approach is proposed for efficient t reatment of quantization effects in inversion layers.Uniform electric field examples are considerd to demonstrate that the TM approach gives results comparable in accuracy to the Monte Carlo approach.The TM approach is shown to reduce the computation time by a factor of 6 or more.Application of the TM technique to the analisis of Si MOSFET′s is discussed. |
| キーワード(和) | MOS反転層 / 量子効果 / 透過行列法 / モンテカルロ法 / デバイスシミュレータ |
| キーワード(英) | MOS inversion layer / quantum effect / transmission matrix approach / Monte Carlo approach / device simulator |
| 資料番号 | ED93-94,SDM93-108,VLD93-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/9/17(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 透過行列法を用いた反転層における電子輸送現象の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Transmission Matrix Approach for Electron Transport in Inversion Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS反転層 / MOS inversion layer |
| キーワード(2)（和/英） | 量子効果 / quantum effect |
| キーワード(3)（和/英） | 透過行列法 / transmission matrix approach |
| キーワード(4)（和/英） | モンテカルロ法 / Monte Carlo approach |
| キーワード(5)（和/英） | デバイスシミュレータ / device simulator |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | M.B Patil / Mahesh Bhagnat Patil |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 奥山 裕 / Yutaka Okuyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大倉 康幸 / Yasuyuki Ohkura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鳥谷部 達 / Toru Toyabe |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 井原 茂男 / Shigeo Ihara |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 Central Research Laboratory,Hitachi |
| 発表年月日 | 1993/9/17 |
| 資料番号 | ED93-94,SDM93-108,VLD93-49 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 217 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |