| 講演名 | 1993/9/17 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析 谷山 秀昭, 富沢 雅彰, 吉井 彰, |
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| 抄録(和) | 共鳴トンネルトランジスタの特性に大きな影響を与える、2次元的なポテンシャル分布などの効果を考慮するため、古典的なモデルと量子力学的な計算を結合したモデルを提案した。また電流モデルの高精度化のために、2次元的な効果を取り入れかつ計算時間を短縮できる、量子力学的分布モデルを提案した。計算を通してモデルの有効性を示すと共に、内部抵抗、散乱等のトランジスタ特性に与える影響を解析し、そのメカニズムを明らかにした。 |
| 抄録(英) | To include the two-dimensional potential distribution,which is thought to be important in transistor characteristics,we improve a coupling model of a classical and quantum mechanical calculations. A reduction of time is achieved by a quantum distributed model, which we propose.By using this model,we analyze the dependency of the transistor characteristics on an internal resistance and scatterings.Through the calculation,we show the efficency of the models. |
| キーワード(和) | 分布モデル / 共鳴トンネルトランジスタ / 2次元解析 / セルフコンシステント |
| キーワード(英) | distributed model / resonant tunneling transistor / two- dimensional simulation / self-consistent |
| 資料番号 | ED93-93,SDM93-107,VLD93-48 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/9/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 分布モデルによる共鳴トンネルトランジスタの2次元解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional simulation of resonant tunneling transistor using guantum distributed model |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 分布モデル / distributed model |
| キーワード(2)（和/英） | 共鳴トンネルトランジスタ / resonant tunneling transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 2次元解析 / two- dimensional simulation |
| キーワード(4)（和/英） | セルフコンシステント / self-consistent |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷山 秀昭 / Hideaki Taniyama |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富沢 雅彰 / Masaaki Tomizawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉井 彰 / Akira Yoshii |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT LSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 発表年月日 | 1993/9/17 |
| 資料番号 | ED93-93,SDM93-107,VLD93-48 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 217 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |