講演名 1993/9/17
絶縁外部コレクタを有するHBTのキャリアブロッキング効果とコレクタアップHBTの設計指針
中谷 昭夫, 堀尾 和重,
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抄録(和) 外部コレクタが完全な絶縁物からなるAlGaAs, GaAsHBTの遮断周波数特性を2次元シミュレーションし、半絶縁外部コレクタを有する場合および通常のn-外部コレクタを有する場合と比較検討した。その結果、外部コレクタが完全な絶縁物の場合、エミッタからベースに注入された少数キャリアの一部がブロックされて外部ベース中にたまり、実効的なベース遅延時間を増大させ遮断周波数を著しく劣化させうることを見いだした。この現象に関連し、コレクタ・アップHBTのシミュレーションを行い、その設計指針について検討した。実効的なエミッタ幅がコレクタ幅より狭くなるよう設計すべきと結論された。
抄録(英) Two-dimensional simulations of cutoff frequencies for AlGaAs, GaAs HBTs with an ideally insulating external collector are made, and the results are compared with those for a case with a semi- insulating external collector and for a case with a normal n^- external collector.It is found that in a case with an ideally insulating external collector,minority carriers injected into the base from the emitter are partially blocked by the insulating layer and accumulate in the external base layer.These carriers increase the effective base delay time,resulting in a remarkable degradation of the cutoff frequency.In relation to this effect, collector-up,HBTs are also simulated,and the design criteria for them are discussed.It is concluded that the effective emitter width should be narrower than the collector width.
キーワード(和) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / GaAs / 絶縁外部コレクタ / 遮断周波数 / キャリア ブロッキング / デバイスシミュレーション
キーワード(英) HBT / GaAs / Insulating External Collector / Cutoff Frequency / Carrier-Blocking / Device Simulation
資料番号 ED93-92,SDM93-106,VLD93-47
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1993/9/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 絶縁外部コレクタを有するHBTのキャリアブロッキング効果とコレクタアップHBTの設計指針
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carrier-Blocking Effects in HBTs with Insulating External Conectors and Design Criteria for Conector-up HBTs
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / HBT
キーワード(2)(和/英) GaAs / GaAs
キーワード(3)(和/英) 絶縁外部コレクタ / Insulating External Collector
キーワード(4)(和/英) 遮断周波数 / Cutoff Frequency
キーワード(5)(和/英) キャリア ブロッキング / Carrier-Blocking
キーワード(6)(和/英) デバイスシミュレーション / Device Simulation
第 1 著者 氏名(和/英) 中谷 昭夫 / Akio Nakatani
第 1 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学
Shibaura Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 堀尾 和重 / Kazushige Horio
第 2 著者 所属(和/英) 芝浦工業大学
Shibaura Institute of Technology
発表年月日 1993/9/17
資料番号 ED93-92,SDM93-106,VLD93-47
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 217
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日