| 講演名 | 1993/9/17 高速SiGeベースHBTの高電流領域における速度低下メカニズムの解析 宇賀神 守, ジーブーン ホン, フォッサム ジェリー, |
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| 抄録(和) | 高電流領域における速度低下メカニズムとして、ベース・コレクタ接合空間電荷領域(SCR)幅の変動に伴うベース走行時間の増加(IBWM)とSCR走行時間の増加(SCRW)について議論し、関連する走行時間の解析式を提示する。シミュレーションと走行時間評価により、IBWMが実際のSiGeベースHBTにおいて速度を低下させていることを示す。また、将来の超高速HBTではSCRWが動作速度に影響することをシミュレーション結果により示す。 |
| 抄録(英) | Degrading effects on BJT speed performance due to current- induced perturbation of the collector-base junction space-charge region(SCR)are analyzed.Inverse base-width modulation(IBWM)-- a widening of the quasi-neutral base width -- and SCR-width widening(SCRW)in highly-scaled HBT′s are identified as important m echanisms goveming device speed degradation at high currents. Simulations and transit-time evaluations of a SiGe-base HBT show that the speed degradation associated with IBWM is predominant. Simulations of a further scaled device show that SCRW can be the significant mechanism of speed degradation at high current densities. |
| キーワード(和) | 遮断周波数 / BJT / SiGe / ベース走行時間 / 空間電荷領域 |
| キーワード(英) | cutoff frequency / BJT / SiGe / base transit time / space- charge region |
| 資料番号 | ED93-88,SDM93-102,VLD93-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/9/17(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高速SiGeベースHBTの高電流領域における速度低下メカニズムの解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of degrading mechanisms at high current densities in highly scaled SiGe-base HBT′s. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 遮断周波数 / cutoff frequency |
| キーワード(2)（和/英） | BJT / BJT |
| キーワード(3)（和/英） | SiGe / SiGe |
| キーワード(4)（和/英） | ベース走行時間 / base transit time |
| キーワード(5)（和/英） | 空間電荷領域 / space- charge region |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 宇賀神 守 / Mamoru Ugajin |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTLSI研究所 NTT LSI Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | ジーブーン ホン / Hong Ghy-Boong |
| 第 2 著者 所属（和/英） | フロリダ大学電気工学科 Department of Electrical Engineering,University of Florida |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | フォッサム ジェリー / Jerry Fossum |
| 第 3 著者 所属（和/英） | フロリダ大学電気工学科 Department of Electrical Engineering,University of Florida |
| 発表年月日 | 1993/9/17 |
| 資料番号 | ED93-88,SDM93-102,VLD93-43 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 217 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |