| 講演名 | 1993/9/17 MOSFETとBJTのデバイス・シミュレーションのための統一的物理モデル 執行 直之, 小西 憲俊, 西之原 一美, 谷本 弘吉, |
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| 抄録(和) | MOSFETとBJT(バイポーラ・トランジスタ)の両方を精度良くシミュレーションできる統一的物理モデルを開発した。移動度、バンドギャップ・ナローイングそして真性キャリア密度についてのモデルである。移動度モデルとしては、ユニバーサリティ移動度モデルとKlaassenによるクーロン散乱移動度モデルを融合した。MOSFETについて詳細な検討を行うと共に、BJTに関しても実測との比較を行い、良い一致を得た。 |
| 抄録(英) | Unified physical models for mobility,bandgap narrowing and intrinsic carrier concentration,have been developed.A unified mobility model accounted for surface roughness scattering and screened Coulomb scattering in addition to phonon scattering. Simulated MOSFET and BJT characteristics using the proposed models, revealed sufficient agreements with measurements. |
| キーワード(和) | デバイス・シミュレーション / 移動度 / バンドギャップ・ナローイング / 真性キャリア密度 |
| キーワード(英) | device simulation / mobility / bandgap narrowing / intrinsic carrier concentration |
| 資料番号 | ED93-87,SDM93-101,VLD93-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1993/9/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSFETとBJTのデバイス・シミュレーションのための統一的物理モデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Unified physical models for device simulation of MOSFET′s and BJT′ s |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | デバイス・シミュレーション / device simulation |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | バンドギャップ・ナローイング / bandgap narrowing |
| キーワード(4)（和/英） | 真性キャリア密度 / intrinsic carrier concentration |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 執行 直之 / Naoyuki Shigyo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小西 憲俊 / Noritoshi Konishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西之原 一美 / Kazumi Nishinohara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 谷本 弘吉 / Hiroyoshi Tanimoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝 Toshiba |
| 発表年月日 | 1993/9/17 |
| 資料番号 | ED93-87,SDM93-101,VLD93-42 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 217 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |