| 講演名 | 1995/10/20 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT 谷本 琢磨, 大部 功, 田中 聡, 松本 秀俊, 寺野 昭久, 工藤 真, 中村 徹, |
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| 抄録(和) | 単一電源動作可能な高出力増幅器用高効率HEMTについて検討した。この素子には、単一電源動作のためにPtを含むゲート材料を採用することにより、ショットキバリア高さ0.9 eVという高い値が400℃までの熱処理に対して安定であるという結果を得た。また、ダプルヘテロ構造の採用により、ゲート電圧0.8V、ドレイン電圧5Vまで良好な線形性が得られた。さらに、GaAs/InGaAs/GaAs超格子チャネル採用により、電子移動度6300cm^2/Vs、シートキャリア濃度3.6×10<12> cm^<-2>という良好な結果を得た。本構造を適用することにより、1.5 GHzデジタルセルラ仕様における評価において、出力1.5W、電力付加効率41%を得た。 |
| 抄録(英) | High efficiency HEMTs for high power linear amplifiers with single biasing supply are demonstrated. In these devices, high reliability Platinum buried gates have been adopted to obtain higher Shottoky barrier height of 0.9 eV for single voltage supply. Double-Hetero structure has been adopted for linearity and large gain. GaAs/InGaAs/GaAs superlattice channel has also been adopted for higher electron mobility of 6300 cm^2/Vs for high sheet carrier concentration of 3.6×10<12> cm^<-2>. By using these technologies, high output power of 1.5 W and high power and efficiency of 41% are obtained for 1.5GHz Personal Digital Cellular(PDC) conditions with +3 V single voltage supply. |
| キーワード(和) | 単一電源 / HEMT / 歪みチャネル / ダブルヘテロ / Pt埋め込み |
| キーワード(英) | Single voltage supply / HEMT / Pseudomorphic / Double hetero / Pt buried gate |
| 資料番号 | ED95-107 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/10/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 単一電源動作 Pt 埋め込みゲート InGaAs 歪チャネルダブルヘテロ HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Single Voltage Supply High Efficiency InGaAs Pseudomorphic Double-Hetero HEMTs with Platinum Buried Gates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 単一電源 / Single voltage supply |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 歪みチャネル / Pseudomorphic |
| キーワード(4)（和/英） | ダブルヘテロ / Double hetero |
| キーワード(5)（和/英） | Pt埋め込み / Pt buried gate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷本 琢磨 / Takuma Tanimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大部 功 / Isao Ohbu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田中 聡 / Satoshi Tanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松本 秀俊 / Hidetoshi Matsumoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 寺野 昭久 / Akihisa Terano |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 工藤 真 / M. Kudo |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 中村 徹 / Tohru Nakamura |
| 第 7 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi Ltd. |
| 発表年月日 | 1995/10/20 |
| 資料番号 | ED95-107 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 315 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |