| 講演名 | 1995/12/15 極微フィールドエミッタへのイオン衝撃に関する計算機実験 後藤 康仁, 松原 元樹, 井上 和則, 辻 博司, 石川 順三, |
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| 抄録(和) | 極微真空電子工学における電子源の候補である極微フィールドエミッタの安定性に影響を与える要因として,放出電子が残留ガスを電離することにより生成したイオンが電子放出部位にどのような影響を与えるかを評価するための計算機実験を行った。いくつかの異なる先端曲率半径を持ったエミッタにおけるイオン衝撃の度合いを評価した結果,先端曲率半径の大きなエミッタほど多くの,また高いエネルギーのイオン衝撃に曝されるという結果が得られた。この結果はニッケル蒸着エミッタに関して実験的に得られていた動作電圧の高いエミッタ,すなわち曲率半径の大きなエミッタほど雑音電力密度が高いという結果と合致するものである。 |
| 抄録(英) | Monte Carlo simulations of ion impact to the apex of the miniaturized field emitter have been performed, in order to investigate the effect of the impact of the residual gas ions generated by the emitted electrons. The calculations were performed for several emitters with different apex radius and it was found that the emitter with larger apex radius is exposed to the significant ion bombardment. The results agrees with such experimental results obtained with the nickel-deposited emitters that the emitter with higher operation voltage, i.e., with larger apex radius, showed higher noise power density. |
| キーワード(和) | 極微フィールドエミッ夕 / イオン衝撃 / モンテカルロ計算機実験 / 極微真空電子工学 |
| キーワード(英) | miniaturized field emitter / ion impact / Monte Carlo simulation / vacuum microelectronics |
| 資料番号 | ED95-138 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/12/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 極微フィールドエミッタへのイオン衝撃に関する計算機実験 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Monte Carlo Simulation of Ion Impact to the Apex of the Miniaturized Field Emitter |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極微フィールドエミッ夕 / miniaturized field emitter |
| キーワード(2)（和/英） | イオン衝撃 / ion impact |
| キーワード(3)（和/英） | モンテカルロ計算機実験 / Monte Carlo simulation |
| キーワード(4)（和/英） | 極微真空電子工学 / vacuum microelectronics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 後藤 康仁 / Y. GOTOH |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 松原 元樹 / M. MATSUBARA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井上 和則 / K. INOUE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 辻 博司 / H. TSUJI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 石川 順三 / J. ISHIKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 京都大学大学院工学研究科電子物性工学教室 Department of Electronic Science and Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University |
| 発表年月日 | 1995/12/15 |
| 資料番号 | ED95-138 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 425 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |