| 講演名 | 1995/12/14 pn接合シリコンエミッタの電子放出特性 平野 貴之, 金丸 正剛, 田上 尚男, 伊藤 順司, |
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| 抄録(和) | pn接合を有するゲート付きシリコンフィールドエミッタアレイの電子放出特性について報告する。イオン注入法を用いて不純物濃度の異なるn型、 p型エミッタアレイ、およびpn接合を有するエミッタアレイを作製した。n型とp/nエミッタ(表面にp型不純物導入したn型エミッタ)からの電子放出特性がF-N理論に従うのに対し、p型とn/pエミッタでは電流の飽和傾向が現れた。この電流飽和領域では、ノイズの低下やエミッションの光応答性が見られた。またC-V特性の測定から、ゲート下部に反転層が形成されていることが確認され、 p型、n/p型エミッタのエミッション特性には、ゲート電極が重要な役割を果たしていることがわかった。 |
| 抄録(英) | The emission characteristics of the gated field emitter arrays (FEAs) with p-n junction have been reported. The gated FEAs with p-n junction were made by ion implantation as well as n-type and p-type FEAs with various impurity concentration. The n and p/n (n-emitter with p-type surface) FEAs had I-V characteristics in agreement with the Fowler-Nordheim theory. The p and n/p tips exhibited a current saturation property. In this saturation region, the stabilization of the emission current and photo-sensitivity were observed. C-V data indicated an inversion layer and a depletion layer under gate electrode. The present saturation mechanism is explained by considering the depletion layer below the emitter tips and gates. |
| キーワード(和) | 真空マイクロエレクトロニクス / フィールドエミッタ / 電子放出 / イオン注入 / シリコンエミッタ / pn接合 |
| キーワード(英) | vacuum microelectronics / field emitter / electron emission / ion implantation / silicon emitter / pn junction |
| 資料番号 | ED95-133 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | pn接合シリコンエミッタの電子放出特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Emission Characteristics of Si Emitter with P-N Junction |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 真空マイクロエレクトロニクス / vacuum microelectronics |
| キーワード(2)（和/英） | フィールドエミッタ / field emitter |
| キーワード(3)（和/英） | 電子放出 / electron emission |
| キーワード(4)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(5)（和/英） | シリコンエミッタ / silicon emitter |
| キーワード(6)（和/英） | pn接合 / pn junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平野 貴之 / Takayuki Hirano |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)神戸製鋼所 Kobe Steel, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 田上 尚男 / Hisao Tanoue |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順司 / Junji Itoh |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1995/12/14 |
| 資料番号 | ED95-133 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 424 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |