| 講演名 | 1995/12/14 タワー型電子源の諸特性 古賀 啓介, 堀 義和, 金丸 正剛, 伊藤 順司, |
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| 抄録(和) | 理想構造に近い縦型構造電子源の実現に向けて我々が提案している極微小構造の「タワー型シリコン電子源」の低電圧動作と大電流化を図るために、構造とプロセスの最適化を図った。まず構造パラメータが陰極先端部に集中する電界強度に与える影響を明かにした。次に、VLSI技術によりサブミクロンのゲートロ径と急峻な陰極先端形状を有する高密度電子源のアレイを均一に形成するプロセスを確立した。極微小構造のタワー型電子源アレイを作製することにより低電圧動作に加えて、大電流密度と安定な電界放射が得られることを確認した。 |
| 抄録(英) | Effects of structure parameters of our proposed "tower structure Si FEA's" and their process latitude are studied for realizing FEA's with low voltage operation and uniform field emisssion. High density Si FEA's with sub-micron gate diameter and extremely sharp emitter tips have been uniformly fabricated by using VLSI technologies. In addition to low voltage operation, large current density and stable field emission have been demonstrated. |
| キーワード(和) | 電界放出 / 微小電子源 / タワー型電子源 / 低電圧動作 / 大電流密度 |
| キーワード(英) | Field emitter array / Low voltage operation / Large current density |
| 資料番号 | ED95-132 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/12/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | タワー型電子源の諸特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Properties of Tower Structure Si Field Emitter Arrays |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電界放出 / Field emitter array |
| キーワード(2)（和/英） | 微小電子源 / Low voltage operation |
| キーワード(3)（和/英） | タワー型電子源 / Large current density |
| キーワード(4)（和/英） | 低電圧動作 |
| キーワード(5)（和/英） | 大電流密度 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古賀 啓介 / Keisuke Koga |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀 義和 / Yoshikazu Hori |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社半導体研究センター Semiconductor Research Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 通商産業省工業技術院電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 順司 / Junji Itoh |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 通商産業省工業技術院電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1995/12/14 |
| 資料番号 | ED95-132 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 424 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |