講演名 1995/12/14
薄膜トランジスタ積層型ポリシリコン電子銃アレイの製造方法
橋口 原, 三村 秀典, 藤田 博之,
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抄録(和) ポリシリコン電子銃アレイ(poly-Si FEA)と薄膜トランジスタ(TFT)を集積したTFT積層型poly-Si FEAを試作した。poly-Si FEAの形成には鋳型を利用した転写法を採用し、TFTはpoly-Si FEA上にモノリシックに作製した。TFTは放出電子電流量を制御するだけでなく、放出電子電流の変動の安定化に対しても有効である。本方法では、積層方法を取っているため、TFTによりpoly-Si FEAの作製領域を削減されることがないため、FEAの高密度形成が要求される薄膜ディスプレイ等への応用において有効な技術となるものと考えている。
抄録(英) We have developed a new multi-layer structure of polycrystalline field emitter arrays (poly-Si FEAs) and thin film transistors (TFTs), where poly-Si FEAs and TFTs are successively fabricated using a thermally grown SiO_2 mold and transferred to a glass substrate. During operation, the TFT not only controls amount of filed emission but also stabilizes fluctuations of the field emission. Since the TFT does not consume the space for poly-Si FEA fabrication, the structure will be a good candidate for high quality flat panel displays.
キーワード(和) 真空マイクロエレクトロニクス / TFT / ポリシリコン / フイールドエミッター
キーワード(英) vacuum microelectronics / TFT / polysilicon / field emitter
資料番号 ED95-131
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1995/12/14(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 薄膜トランジスタ積層型ポリシリコン電子銃アレイの製造方法
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication and Electrical Characteristics of a Multi-layer Structure of Polycrystalline Silicon Field Emitters and Thin Film Transistors
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 真空マイクロエレクトロニクス / vacuum microelectronics
キーワード(2)(和/英) TFT / TFT
キーワード(3)(和/英) ポリシリコン / polysilicon
キーワード(4)(和/英) フイールドエミッター / field emitter
第 1 著者 氏名(和/英) 橋口 原 / G. Hashiguchi
第 1 著者 所属(和/英) 新日鉄(株)先端技術研究所
Advanced Technology Research Labs., Nippon Steel Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 三村 秀典 / H. Mimura
第 2 著者 所属(和/英) ATR光電波通信研究所
ATR Optical and Radio Communications Research Labs.
第 3 著者 氏名(和/英) 藤田 博之 / H. Fujita
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学生産技術研究所
Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
発表年月日 1995/12/14
資料番号 ED95-131
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 424
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日