| 講演名 | 1995/5/18 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減 左文字 克哉, 高木 康文, 林田 圭司, 大島 直樹, 朴 康司, 米津 宏雄, |
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| 抄録(和) | InP-on-Siヘテロエピタキシーの最大の問題点は格子不整合が8%と大きいことである。そこで、InP-on-Siとほぼ同じ格子不整合を有するInP-on-GaPにおいてInPエピ層の成長様式と貫通転位発生の関係をRHEEDとTEMを用いて調べた。その結果、InP層は1～2MLで二次元成長から三次元成長へ移行した。また、貫通転位は3～4MLで発生した。この結果は、貫通転位が三次元成長島の拡大または合体の過程で発生することを示唆する。したがって、エピ層の三次元化を抑制することで貫通転位の発生を低減できると考えられる。そこで、InP-on-Siに対して、格子緩和後も二次元成長を維持する歪短周期超格子(SSPS)を導入し、エピ層の三次元化を抑制することを試みた。その結果、エピ層は二次元的に成長し、貫通転位密度の明らかな低減がみられた。 |
| 抄録(英) | A major problem of InP-on-Si heteroepitaxy is the large lattice mismatch (8%). Firstly, we investigated the relation between the growth mode of InP epilayers on GaP(100) substrates and the generation of threading dislocations in the InP epilayers by RHEED and TEM. The InP layer grew two-dimensionally until 1～2ML thickness, and then the growth mode changed to the 3D island growth mode. Threading dislocations were generated at 3～4ML. It became apparent that the threading dislocations were generated in the grown 3D islands. From these results, it was expected that the generation of threading dislocations can be reduced by suppression of the 3D islands. So, in the growth of InP-on-Si, strained short-period superlattices which realize the 2D growth mode ever after lattice relaxation were inserted at the hetero-interface in order to suppress the formation of the 3D islands. As a result, the epilayers were grown two-dimensionally and the density of threading dislocations was reduced remarkably. |
| キーワード(和) | InP-on-Si / 貫通転位 / 歪短周期超格子(SSPS) |
| キーワード(英) | InP-on-Si / threading dislocation / strained short-period superlattice(SSPS) |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/5/18(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reduction of threading dislocation density in InP-on-Si with strained short-period superlattices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP-on-Si / InP-on-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 貫通転位 / threading dislocation |
| キーワード(3)（和/英） | 歪短周期超格子(SSPS) / strained short-period superlattice(SSPS) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 左文字 克哉 / K. Samonji |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高木 康文 / Y. Takagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 林田 圭司 / K. Hayashida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 大島 直樹 / N. Ohshima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 朴 康司 / K. Pak |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 米津 宏雄 / H. Yonezu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学第三工学系 Toyohashi Univ. of Tech. |
| 発表年月日 | 1995/5/18 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 37 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |