講演名 | 1995/5/18 (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程 高木 康文, 左文字 克哉, 岩城 和彦, 大島 直樹, 朴 康司, 米津 宏雄, |
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抄録(和) | GaP(100)just基板上にMBE法により(GaAs)_1(GaP)_3歪短周期超格子を成長し、RHEED、TEMおよびXRDを用いて格子緩和過程を調べた。その結果、(GaAs)_1(GaP)_3 SSPS層は2次元的に成長し、格子不整合はヘテロ界面にミスフィト転位が導入されることによって緩和されることが明らかになった。また、成長層の膜厚が500nmのとき格子緩和率は約50%であり、格子緩和は徐々に進行することも分かった。 |
抄録(英) | The lattice relaxation process of a (GaAs)_1(GaP)_3 strained short-period superlattice(SSPS) grown on GaP(100) has been investigated. The (GaAs)_1(GaP)_3 SSPS grew two-dimensionally and the lattice mismatch between the SSPS and GaP was accommodated by the introduction of misfit dislocations at the hetero-interface. The lattice relaxation proceeded gradually with the increase in the thickness of the SSPS and the ratio of lattice relaxation was around 50% at the 50nm thickness. |
キーワード(和) | 歪短周期超格子 / ミスフィット転位 / 格子緩和 |
キーワード(英) | strained short-period superlattice (SSPS) / misfit dislocation / lattice relaxation |
資料番号 | |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | ED |
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開催期間 | 1995/5/18(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Lattice relaxaton process of a (GaAs)_m(GaP)_n strained short-period superlattice |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 歪短周期超格子 / strained short-period superlattice (SSPS) |
キーワード(2)(和/英) | ミスフィット転位 / misfit dislocation |
キーワード(3)(和/英) | 格子緩和 / lattice relaxation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 高木 康文 / Y. Takagi |
第 1 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 左文字 克哉 / K. Samonji |
第 2 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 岩城 和彦 / K. Iwaki |
第 3 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
第 4 著者 氏名(和/英) | 大島 直樹 / N. Ohshima |
第 4 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
第 5 著者 氏名(和/英) | 朴 康司 / K. Pak |
第 5 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
第 6 著者 氏名(和/英) | 米津 宏雄 / H. Yonezu |
第 6 著者 所属(和/英) | 豊橋技術科学大学工学部 Toyohashi University of Technology |
発表年月日 | 1995/5/18 |
資料番号 | |
巻番号(vol) | vol.95 |
号番号(no) | 37 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |