| 講演名 | 1995/5/18 不整転位導入の臨界膜厚に関する理論 市村 正也, Narayan J., |
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| 抄録(和) | 半導体ヘテロ構造における不整転位導入の臨界膜厚についてはこれまでに数多くの理論計算が試みられてきた。しかしそれらには次の二つの問題がある。1)臨界膜厚の定義が複数あり、違いが十分認識されていない。2)エネルギー計算に主として古典的、巨視的手法が用いられている。本論文では、これら過去の計算の問題点を整理し、その上にたって、原子論的手法に基づく計算結果を述べる。その結果によれば、原子論的計算からもとまる臨界膜厚は、特に60゜転位の場合、従来の巨視的なモデルの結果に比べ、二倍程度大きな値になる。この違いは主に、巨視的モデルでの転位芯のエネルギーが原子論的結果より小さいことによる。 |
| 抄録(英) | Theoretical models of critical thickness of dislocation nucleation in semiconductor heterostructures are reviewed, and new results based on an atomistic model are presented. Different criteria for the critical thickness are compared, and the method for calculating the dislocation energy is discussed. The critical thickness is calculated using empirical interatomic potentials for Ge/Si(001). The obtained thicknesses are larger than results of the classical analysis, and the difference is attributed to consideration of core energy of dislocations. |
| キーワード(和) | 不整転位 / 臨界膜厚 / ヘテロ構造 / Ge/Si |
| キーワード(英) | misfit dislocation / critical thickness / heterostructure / Ge/Si |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/5/18(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 不整転位導入の臨界膜厚に関する理論 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Models of Critical Thickness of Dislocation Nucleation in Heterostructures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不整転位 / misfit dislocation |
| キーワード(2)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(3)（和/英） | ヘテロ構造 / heterostructure |
| キーワード(4)（和/英） | Ge/Si / Ge/Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 市村 正也 / M. Ichimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学共同研究センター Center for Cooperative Research, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Narayan J. / J. Narayan |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ノースカロライナ州大、材料工学科 Department of Materials Science North Carolina State University |
| 発表年月日 | 1995/5/18 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 37 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |