| 講演名 | 1995/5/18 MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長 釆女 豊, 和泉 茂一, 早藤 紀生, 園田 琢二, 高宮 三郎, |
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| 抄録(和) | GaAs系材料のMBE成長用基板の面方位を(100)面から傾斜させることにより,表面欠陥,転位の低減を検討した.さらに実デバイスへの適用を考慮して,ドーピング特性や少数キャリア寿命の基板面方位依存性についても詳細に調査した.(100)面から[011]方向へ5゜～10゜傾斜させた基板を用いることにより,低欠陥の高品質なGaAsの成長が可能であることを見出した.傾斜基板の採用は少数キャリアを用いるHBT等の信頼性向上に有効である. |
| 抄録(英) | Novel method for the reduction of surface defect and dislocation in MBE grown GaAs layer is investigated using the misoriented (100) substrate. In order to apply this technique to the actual devices, the effect of misorientation on the electric and optical characteristics is also studied. It is found that misorientation of 5°～10° toward [011] is essential to improve the epilayer quality, without any change of the electric and optical characteristics, which is very promising to obtain high reliability for minority carrier devices such as heterojunction bipolar transistor. |
| キーワード(和) | MBE / 傾斜基板 / 表面欠陥 / ドーピング特性 / HBT |
| キーワード(英) | MBE / misoriented substrates / surface defect / dislocation / doping characteristics / heterojunction bipolar transistor |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/5/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE法による傾斜基板上へのGaAs成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MBE growth of GaAs on misoriented substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE / MBE |
| キーワード(2)（和/英） | 傾斜基板 / misoriented substrates |
| キーワード(3)（和/英） | 表面欠陥 / surface defect |
| キーワード(4)（和/英） | ドーピング特性 / dislocation |
| キーワード(5)（和/英） | HBT / doping characteristics |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 釆女 豊 / Y. Uneme |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和泉 茂一 / S. Izumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 早藤 紀生 / N. Hayafuji |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 園田 琢二 / T. Sonoda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高宮 三郎 / S. Takamiya |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機光・マイクロ波デバイス開発研究所 Optoelectronic & Microwave Devices Laboratory, Mitsubishi Electric Corporation |
| 発表年月日 | 1995/5/18 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 37 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |