| 講演名 | 1995/5/18 MOCVD成長InAlAs/InGaAs HEMTのFeドープInPバッファ層の検討 野田 隆夫, 佐々木 晶, 野崎 千晴, 天野 実, 芦沢 康夫, |
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| 抄録(和) | InP基板上のInAlAs/InGaAs HEMT構造のMOCVD成長について、InPバッファ層/InP基板界面の残留不純物ドナーによる界面キャリアの濃度を低減化するために、FeドープInPをバッファ層に用いた。Feドーピングは界面キャリア濃度を低減化する効果を持つということが、一次元シミュレーションで確認できた。この計算結果は、MOCVD成長層のHall測定結果と一致した。また、Fe拡散、エピ層表面平坦性、HEMT構造の二次元電子ガス(2DEG)特性を評価したところ、2DEGへのFeの影響はないことか分かった。これらの結果から、Feドーピングが、高品質なInPバッファ層を成長するための手段として、有効だということが分かった。 |
| 抄録(英) | We have studied the effects of Fe-doped InP buffer layers on the electric characteristics of InAlAs/InGaAs HEMT structures grown by MOCVD. The one-dimensional simulation clarified that Fe-doped InP buffer layers reduce the residual carrier concentrations at the epilayer/substrate interface. The results of Hall measurement of MOCVD-grown epilayers agreed with the simulation. No apparent degradation of two-dimensional electron gas mobility attributed to Fe doping was observed. These results shows that Fe doping in InP buffer layers is an effective technique to grow high quality-buffer layers suitable for HEMTs. |
| キーワード(和) | InP / バッファ層 / Feドーピング / 基板 / 界面不純物 / 一次元シミュレーション / MOCVD |
| キーワード(英) | InP / buffer layer / Fe doping / substrate / interface impurity / one-dimensional simulation / MOCVD |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1995/5/18(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD成長InAlAs/InGaAs HEMTのFeドープInPバッファ層の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of MOCVD-grown InAlAs/InGaAs HEMT structures with Fe-doped InP buffer layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(2)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(3)（和/英） | Feドーピング / Fe doping |
| キーワード(4)（和/英） | 基板 / substrate |
| キーワード(5)（和/英） | 界面不純物 / interface impurity |
| キーワード(6)（和/英） | 一次元シミュレーション / one-dimensional simulation |
| キーワード(7)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野田 隆夫 / T. Noda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Toshiba Research and Development Center |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐々木 晶 / A. Sasaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Toshiba Research and Development Center |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 野崎 千晴 / C. Nozaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Toshiba Research and Development Center |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 天野 実 / M. Amano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Toshiba Research and Development Center |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 芦沢 康夫 / Y. Ashizawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター Toshiba Research and Development Center |
| 発表年月日 | 1995/5/18 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 37 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |