講演名 1995/4/21
ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
栗原 健二, 岩立 和己, 生津 英夫, 永瀬 雅夫, 村瀬 克実,
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抄録(和) ECRプラズマ酸化パタン反転法を開発し、電子ビームリソグラフィを用いてSiナノ加工へ適用した。この方法では、まずレジストパタンマスクにECR酸素プラズマを照射して、2~3nm程度の極薄プラズマ酸化膜をSi表面に形成する。レジスト除去後、プラズマ酸化膜をマスクに、(A)高選択比を持つCl_2をベースしたECRプラズマエッチング、または(B)異方性を有するKOHエッチングによりSiをエッチングする2種類のプロセスを提案し、ナノパタン形成特性を評価した。さらに本パタン反転法を用いて、SIMOX基板上に10nm級のSi量子細線やドットパタンを得た。
抄録(英) A new image reversal process has been developed for electron beam nanolithography. This process is based on Si oxidation with ECR oxygen plasma through the opening of resist patterns. After the Si oxidation and resist removal, Si is etched with highly selective Si etching over SiO_2 such as Cl_2-based ECR plasma or KOH anisotropic etching. This image reversal process has achieved 10-nm scale Si line and dot patterns.ECR,プラズマ酸化,電子ビ-ム露光,ナノ加工,パタン反転
キーワード(和) ECR、プラズマ酸化、電子ビーム露光、ナノ加工、パタン反転
キーワード(英) ECR / Plasma oxidation / Electron beam exposure / nanofabrication / image reversal
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1995/4/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ECRプラズマ酸化によるナノパタン反転法とSi量子細線加工
サブタイトル(和)
タイトル(英) Nano-pattern transfer using an image reversal process with ECR plasma oxidation and its application to fabrication of Si quantum wire
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ECR、プラズマ酸化、電子ビーム露光、ナノ加工、パタン反転 / ECR
第 1 著者 氏名(和/英) 栗原 健二 / Kenji Kurihara
第 1 著者 所属(和/英) NTT LSI研究所
NTT LSI Laboratories
第 2 著者 氏名(和/英) 岩立 和己 / Kazumi Iwadate
第 2 著者 所属(和/英) NTT LSI研究所
NTT LSI Laboratories
第 3 著者 氏名(和/英) 生津 英夫 / Hideo Namatsu
第 3 著者 所属(和/英) NTT LSI研究所
NTT LSI Laboratories
第 4 著者 氏名(和/英) 永瀬 雅夫 / Masao Nagase
第 4 著者 所属(和/英) NTT LSI研究所
NTT LSI Laboratories
第 5 著者 氏名(和/英) 村瀬 克実 / Kastumi Murase
第 5 著者 所属(和/英) NTT LSI研究所
NTT LSI Laboratories
発表年月日 1995/4/21
資料番号
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 8
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日