| 講演名 | 1996/5/24 MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討 伊藤 孝浩, 柳原 将貴, 大塚 康二, 今井 哲二, 桑原 憲弘, 高野 泰, 福家 後部, |
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| 抄録(和) | MOCVD法によるサファイア基板上へのGaN成長では、低温バッファ層堆積技術の開発により結晶性の良好な成長層が得られるようになっているが、低温バッファ層の堆積条件のうち、堆積温度依存性及びあまり議論されていないV/III比依存性について検討した。低温バッファ層堆積時の最適V/III比の値は、高温でのGaN成長において必要とされるV/III比よりかなり低い値となり、その条件ではCaN成長層の結晶性が向上するとともに、バンド端近傍のPL発光強度が深い準位からの発光に比べて増大する。また、バッファ層堆積温度依存性においても、V/III比を低くすると鏡面が得られる堆積温度範囲が広くなる。 |
| 抄録(英) | GaN single crystals are grown on (0001)Al_2O_3 substrate using a GaN buffer layer by MOCVD. We discussed the dependence of the crystallinity upon the substrate temperature and the V/III ratio at the GaN buffer layer deposition process. The optimum value of V/III ratio at the deposition process of a buffer layer is much lower than that needed for the GaN growth at higher temperature. At this optimum deposition condition, the FWHM value of X-ray rocking curve decreases and PL intensity ratio of near band edge emission to deep level emission increases. Furthermore, the substrate temperature range, where a mirrorlike surface is obtained, is extended to the higher temperature side by lowering the V/III ratio. |
| キーワード(和) | GaN成長 / MOCVD法 / バッファ層 / V/III比 |
| キーワード(英) | GaN / MOCVD / buffer layer / V/III ratio |
| 資料番号 | ED96-33,CPM96-18 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/5/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGaN成長におけるバッファ層堆積条件の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study of buffer layer deposition conditions for GaN growth by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN成長 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD法 / MOCVD |
| キーワード(3)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(4)（和/英） | V/III比 / V/III ratio |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 孝浩 / T. Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柳原 将貴 / M. Yanagihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | サンケン電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大塚 康二 / K. Ohtuka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | サンケン電気(株)研究所 Research and Development Division, Sanken Electric Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 今井 哲二 / K. Kuwahara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 明星大学情報学部電子情報工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 桑原 憲弘 / T. Imai |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics and Computer Science, College of Informatics, Meisei University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 高野 泰 / Y. Takano |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 福家 後部 / S. Fuke |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 静岡大学工学部電気・電子工学科 Department of Electronics, Faculty of Engineering, Shizuoka University |
| 発表年月日 | 1996/5/24 |
| 資料番号 | ED96-33,CPM96-18 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 67 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |