| 講演名 | 1996/5/24 MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価 清水 誠也, 川口 靖利, 平松 和政, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | InGaNは主にGaN上に成長されている。しかし、GaN上では臨界膜厚以上になるとInGaNの表面が荒れてくるため、厚いInGaN膜を成長するのは困難である。本研究ではサファイア基板上にAlNバッファ層を堆積させ、その上に成長することにより厚く、平坦なInGaN膜を得ることができた。GaN上への成長では、成長初期においてはInGaN中のInモル分率は小さいが、臨界膜厚以上ではInモル分率は増加し、AlNバッファ層上に成長したInGaN膜のInモル分率に近づく。GaN上への成長で成長初期においてInモル分率が小さくなったのはInGaNとGaNの間の格子定数差による歪みを軽減するためであると思われる。 |
| 抄録(英) | InGaN films have usually grown on GaN epitaxial layers, however it is difficult to grow thick InGaN films because the surfaces of InGaN become rough over a critical thickness. Growth of thick and smooth InGaN films with a few μm thickness has successfully been achieved directly on AlN buffer layers which are deposited on sapphire substrates. At the initial growth stage In mole fraction of InGaN grown on GaN is small, on the other hand over the critical thickness the In mole fraction becomes large and reaches that of InGaN grown on AlN buffer layer. The decrease in the In mole fraction at the initial growth stage is caused to reduce the large stress in the alloy film due to the lattice mismatch between GaN and InGaN. |
| キーワード(和) | InGaN / バッファ層 / 臨界膜厚 / 格子定数差 / 歪み |
| キーワード(英) | InGaN / buffer layer / critical thickness / lattice mismatch stress |
| 資料番号 | ED96-30,CPM96-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/5/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE growth and properties of InGaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | バッファ層 / buffer layer |
| キーワード(3)（和/英） | 臨界膜厚 / critical thickness |
| キーワード(4)（和/英） | 格子定数差 / lattice mismatch stress |
| キーワード(5)（和/英） | 歪み |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 清水 誠也 / Masaya Shimizu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川口 靖利 / Yasutoshi Kawaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko Sawaki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1996/5/24 |
| 資料番号 | ED96-30,CPM96-15 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 67 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |