講演名 1996/5/23
アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
高田 尚幸, 仁田 昌二, 野々村 修一,
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抄録(和) 我々は、Ar+N_2の混合ガスとグラファイトターゲットを用いた高周波反応性マグネトロンスパッタ法にてa-CN_x薄膜試料を作製した。窒素ガス分圧比r-P_/(P_+PN_2)を変化させて試料を作製し、これらについてX線光電子分光法(XPS)、赤外吸収スペクトル(IR)、光透過率スペクトル(U.V.)、電子スピン共鳴(ESR)および直流電気伝導率により評価を行った。XPSスペクトルより、窒素含有率X=N/Cは0.48~0.62と求められ、rの増加とともに増加した。タウツプロットによる光学ギャップEoは1.4~1.6eVであり、窒素含有率X=N/Cの増加に伴い広がる傾向を示した。また、ESRスペクトルよりダングリングボンド密度は10^<18>~10^<19>cm^<-3>と求められた。直流暗電気伝導率の温度依存性により、a-CN_xは活性化型の伝導を示し、活性化エネルギーは0.80~0.90eVであった。電気伝導率はきわめて低くa-CN_xは高抵抗を示した。また、Xeランプ照射により光伝導が観測された。
抄録(英) We have made amorphous phase of CN_x by rf reactive magnetron sputtering using Ar-N_2 mixed gas and a graphite target. The ratio of nitrogen gas pressure PN_2 in sputter gas r=P_/(P_Ar+PN_2) was used to compare the condition of the sputtering. The ratio of number of nitrogen and carbon atoms X=N/C was 0.48 to 0.62 determined by the X-ray photoelectron spectroscopy. As increasing the gas ratio of nitrogen, the amount of nitrogen was increased. Optical properties of these films were obtained by measuring transmittance spectra. Optical energy gap Eo obtained by the Tauc's plot were 1.4 to 1.6eV where Eo increase with the content of nitrogen X in a-CN_x. Dangling bonds density of a-CN_x is 10^<18> to 10^<19>cm^<-3>. Resistivity of a-CN_x is so much high. Photo conductivity is observed.
キーワード(和) a-CN_x / XPS / IR / U.V. / ESR / 直流電気伝導率
キーワード(英) a-CN_x / XPS / IR / U.V. / ESR / DC conductivity
資料番号 ED96-27,CPM96-12
発行日

研究会情報
研究会 ED
開催期間 1996/5/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Electron Devices (ED)
本文の言語 JPN
タイトル(和) アモルファス窒化カーボンa-CN_xの作製とその性質
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and properties of amorphous carbon nitride a-CN_x
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) a-CN_x / a-CN_x
キーワード(2)(和/英) XPS / XPS
キーワード(3)(和/英) IR / IR
キーワード(4)(和/英) U.V. / U.V.
キーワード(5)(和/英) ESR / ESR
キーワード(6)(和/英) 直流電気伝導率 / DC conductivity
第 1 著者 氏名(和/英) 高田 尚幸 / N. Takada
第 1 著者 所属(和/英) 岐阜大学工学部電子情報工学科
Department of Electronic & Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University
第 2 著者 氏名(和/英) 仁田 昌二 / S. Nitta
第 2 著者 所属(和/英) 岐阜大学工学部電子情報工学科
Department of Electronic & Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University
第 3 著者 氏名(和/英) 野々村 修一 / S. Nonomura
第 3 著者 所属(和/英) 岐阜大学工学部電子情報工学科
Department of Electronic & Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University
発表年月日 1996/5/23
資料番号 ED96-27,CPM96-12
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 66
ページ範囲 pp.-
ページ数 8
発行日