| 講演名 | 1996/12/12 リニアコライダー用Xバンドパルスクライストロン 岩瀬 光央, 米澤 宏, 岡本 正, Kazakov S., Teryaev V., 水野 元, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 次世代高エネルギー物理学研究用リニアコライダーに用いるXバンド100MW級パルスクライストロンを開発している.今回,耐電力性の向上を目的として新構造のクライストロンを製作した.出力空胴をディスク装荷型進行波出力回路に置き換ることにより,空胴内電界を50%低減し,又出力部のドリフト径を拡大して電子衝撃を少なくすることができた.又,ホーン型出力窓の採用により,窓内の伝送主モードをTE11モードとし,セラミック板表面での電界強度を低減した.これにより,RFパルス幅100nsで出力電力54MWを得られた. |
| 抄録(英) | Development of an X-band 100MW pulsed klystron for the Linear Collider is now underway. A new design was introduced in order to improve high power capability. The output cavity was replaced with a traveling-wave disk loaded structure which can reduce the electric held by about 50% and also allows a larger drift tube which reduces electron bombardment. The horn type output window employs enlarged ceramic disk in TE11 transmission mode which reduces the electric field stress to the ceramics. The klystron was built and showed an output power of 54MW with RF pulse width of 100ns |
| キーワード(和) | パルスクライストロン / Xバンド / ディスク装荷型進行波出力回路 / ホーン型出力窓 |
| キーワード(英) | pulsed klystron / X-band / disk loaded structure / horn type output window |
| 資料番号 | ED96-130 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
|---|---|
| 開催期間 | 1996/12/12(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | リニアコライダー用Xバンドパルスクライストロン |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | X-BAND PULSED KLYSTRON FOR LINEAR COLLIDER |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | パルスクライストロン / pulsed klystron |
| キーワード(2)（和/英） | Xバンド / X-band |
| キーワード(3)（和/英） | ディスク装荷型進行波出力回路 / disk loaded structure |
| キーワード(4)（和/英） | ホーン型出力窓 / horn type output window |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩瀬 光央 / M. Iwase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 電子デバイス事業部 Toshiba Corporation, Electron Device Division |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米澤 宏 / H. Yonezawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 電子デバイス事業部 Toshiba Corporation, Electron Device Division |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岡本 正 / T. Okamoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 電子デバイス事業部 Toshiba Corporation, Electron Device Division |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | Kazakov S. / S. Kazakov |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)東芝 電子デバイス事業部 Toshiba Corporation, Electron Device Division |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | Teryaev V. / V. Teryaev |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)東芝 電子デバイス事業部 Toshiba Corporation, Electron Device Division |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 水野 元 / H. Mlzuno |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 文部省高エネルギー物理学研究所 National Laboratory for High Energy Physics |
| 発表年月日 | 1996/12/12 |
| 資料番号 | ED96-130 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 411 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |