| 講演名 | 1996/11/9 GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響 三好 陽介, 河野 通久, 梨本 泰信, 水田 正志, |
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| 抄録(和) | パッシベーション膜にSiO_2を用いたGaAs MESFETのパッシベーション界面のストイキオメトリをエネルギー分散X線分光法(EDX)により分析した結果と素子の耐圧特性について比較評価を行った。その結果、界面付近にAs過剰な領域があるときに耐圧は低下する傾向を示した。このようなストイキオメトリの変化は、GaAs表面酸化の程度の差により生ずると考えられる。耐圧の異なるFETのショットキー障壁高さが等しいことや、耐圧の低い素子で耐圧のゲート・ドレイン間距離依存性が見られないことから、パッシベーション界面のストイキオメトリの変化が界面負電荷量を介してゲート端部の電界集中を緩和・増大し、耐圧変動をもたらすと考えられる。 |
| 抄録(英) | The relationship between gate breakdown and surface stoichiometry in GaAs MESFET's passivated with SiO_2 film was investigated utilizing energy dispersive X-ray spectroscopy (EDX). The gate breakdown is suppressed when the As/Ga ratio at about 1nm below the SiO_2/GaAs interface is more than unity. The FETs with low gate breakdown voltage show no correlation between the gate-drain spacing and the gate breakdown voltage. It suggests that, in these FET's, the electric field at the gate edge is elevated due to decrease of the negative surface (passivation interface) charge. |
| キーワード(和) | GaAs / FET / 耐圧 / パッシベーション / 酸化 / ストイキオメトリ |
| キーワード(英) | GaAs / FET / Gate Breakdown / Passivation / Oxidation / Stoichiometry |
| 資料番号 | ED96-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/11/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs MESFET耐圧へのパッシベーション界面ストイキオメトリの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Correlation between Stoichiometry and Gate Breakdown in GaAs MESFET'd |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 耐圧 / Gate Breakdown |
| キーワード(4)（和/英） | パッシベーション / Passivation |
| キーワード(5)（和/英） | 酸化 / Oxidation |
| キーワード(6)（和/英） | ストイキオメトリ / Stoichiometry |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三好 陽介 / Yosuke Miyoshi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 河野 通久 / Michihisa Kohno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 梨本 泰信 / Yasunobu Nashimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水田 正志 / Masashi Mizuta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratories |
| 発表年月日 | 1996/11/9 |
| 資料番号 | ED96-125 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 353 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |