| 講演名 | 1996/11/9 エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染 入戸野 巧, 日向 文明, |
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| 抄録(和) | エピ/GaAs基板界面に存在する不純物について、成長前の各種酸による基板前処理がその濃度低減に及ぼす効果を調べるとともに、基板前処理を行った場合に残存する不純物Siの由来を考察した。塩酸ないしフッ酸による基板処理で、界面での不純物SiおよびSの濃度が1×10^<17>cm^<-3>以下に低減されることを明らかにした。残存するSiは、基板前処理後に基板が晒される雰囲気、すなわち大気および乾燥窒素に由来すること、乾燥窒素中に放置した場合には、大気中放置の場合より多くのキャリアが発生することを明らかにした。乾燥窒素中放置ではOが付着せず、OによるSiの不活性化効果がほとんどないためと考えられる。 |
| 抄録(英) | The effect of treating the substrate prior to epitaxial growth has been studied for the purpose of reducing unintentional impurities at the interface between epitaxial layers and GaAs substrate. It was found that treatment in HF or HCl solution reduces impurities, such as Si and S, to less than 10^<17>cm^<-3> at the interface. Residual Si impurities come from the atmosphere, i.e., from the air and/or dry nitrogen, after treatment. Compared with air, dry nitrogen causes a dramatic increase in accumulated-carrier concentration because it contaminates the substrate only with Si impurities. |
| キーワード(和) | 不純物 / 界面 / シリコン / イオウ / 酸素 / MOCVD |
| キーワード(英) | impurity / interface / silicon / sulfur / oxygen / MOCVD |
| 資料番号 | ED96-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/11/9(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピ/GaAs基板界面の不純物の低減法に関する検討 : 基板前処理の効果と雰囲気からの汚染 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the reduction of unintentional impurities at the interface between epitaxial layers and GaAs substrate : Effect of substrate pre-treatment and contamination from an atmosphere |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 不純物 / impurity |
| キーワード(2)（和/英） | 界面 / interface |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(4)（和/英） | イオウ / sulfur |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素 / oxygen |
| キーワード(6)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 入戸野 巧 / Takumi Nittono |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日向 文明 / Fumiaki Hyuga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Laboratories |
| 発表年月日 | 1996/11/9 |
| 資料番号 | ED96-121 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 353 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |