| 講演名 | 1996/11/8 GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用 谷村 新, 斉藤 俊也, 陽 完治, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシ法(MBE)による加工基板上の選択成長とStranski-Krastanow成長モードを組み合わせた自然形成InAs量子ドットの作製とその位置制御を試みた。ウェットエッチングによりV溝加工を施したGaAs基板上に、MBEを用いてInAsを成長したところ、V溝の頂上に基底80nm、高さ10nmのInAs3次元構造が配列した。光学測定の結果、量子ドットからの発光と考えられるピークが1.23eV付近に観測された。このことは、自己組織的に形成されるInAs量子ドットが位置制御される可能性を示している。さらに、本手法で得られたInAs量子ドットのデバイスへの応用について検討した。 |
| 抄録(英) | We report on the self-assembled molecular beam epitaxial (MBE) growth of InAs dots on patterned GaAs Substrates by Stranski-Krastanow growth mode. GaAs substrates were patterned by wet-chemical ething using conventional optical lithography and electron beam lithography. Self-assembled InAs dot growth was confirmed to grow on V-groove shaped substrates. InAs dots were found to be selectively grown on both substrates by AFM. As for the growth on (100) substrates, InAs dots were found to be arrayed on ridge of the V-grooves. Its size were found to be about 80nm in width and 10nm in height. Photoluminescence (PL) measurements detected a strong peak at 1.23eV from the dots on the ridge. These results suggest that self-assembled InAs dots can be grown and arrayed regularly on patterned substrates with certain accuracy. A novel device structure using the regularly arrayed InAs dot was proposed. |
| キーワード(和) | S-K成長モード / 自然形成ドット / InAs |
| キーワード(英) | Stranski-Krastanow growth mode / Self-assembled dot / InAs |
| 資料番号 | ED96-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/11/8(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaAs加工基板を用いた自然形成InAsドットの作製とそのデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Self-Assembled InAs Dots on Patterned GaAs Substrates and Its Device Application |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | S-K成長モード / Stranski-Krastanow growth mode |
| キーワード(2)（和/英） | 自然形成ドット / Self-assembled dot |
| キーワード(3)（和/英） | InAs / InAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷村 新 / Arata Tanimura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 斉藤 俊也 / Toshiya Saitoh |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 陽 完治 / Kanji Yoh |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学大学量子界面エレクトロニクス研究センター Research Center for Interface Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 1996/11/8 |
| 資料番号 | ED96-117 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |