| 講演名 | 1996/11/8 InP加工基板上へのMBE選択成長によるInGaAs/InAlAs量子細線および量子ドットの形成 花田 祐樹, 新木 盛朗, 藤倉 序章, 長谷川 英機, |
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| 抄録(和) | フォトリソグラフィーとウェットケミカルエッチングにより形成したInP加工基板上に、InGaAs/InAlAs量子細線および量子ドット構造をMBE選択成長により形成した。数種類の異なる加工形状を持ったInP(001)基板上に成長を行った結果、量子細線形成には<1^^-10>方向と<100>方向に沿ったメサストライプの加工形状が有望であるとの結論を得た。また、量子ドット形成には<100>方向に沿った辺を持つメサパターンが有望であることが示された。成長により形成される構造の均一性は成長条件に強く依存することがわかった。 |
| 抄録(英) | InGaAs/InAlAs quantum wire and dot structures are formed by using selective MBE growth on patterned InP substrates formed by wet chemical etching and photolithography process. From the results of growth experiments using various patterned substrates, mesa stripes along <1^^-10> and <100> directions are suitable for wire formation. On the other hand, as for dot formation, mesa square having the edges parallel to <100> direction is suitable. It is also found that the uniformity of these structures depend strongly on growth conditions. |
| キーワード(和) | InGaAs / InP加工基板 / メサ / 量子細線 / 量子ドット / MBE選択成長 |
| キーワード(英) | InGaAs / patterned InP substrate / mesa / quantum wire / quantum dot / selective MBE |
| 資料番号 | ED96-116 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
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| 開催期間 | 1996/11/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electron Devices (ED) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InP加工基板上へのMBE選択成長によるInGaAs/InAlAs量子細線および量子ドットの形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InGaAs InAlAs Quantum Wire and Quantum Dot Structures on Patterned InP Substrates by Selective Molecular Beam Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | InP加工基板 / patterned InP substrate |
| キーワード(3)（和/英） | メサ / mesa |
| キーワード(4)（和/英） | 量子細線 / quantum wire |
| キーワード(5)（和/英） | 量子ドット / quantum dot |
| キーワード(6)（和/英） | MBE選択成長 / selective MBE |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 花田 祐樹 / Yuuki Hanada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野 Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新木 盛朗 / Moriaki Araki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野 Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤倉 序章 / Hajime Fujikura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野 Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 長谷川 英機 / Hideki Hasegawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野 Research Center for Interface Quantum Electronics and Graduate School of Electronics and Information Engineering, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 1996/11/8 |
| 資料番号 | ED96-116 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 352 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |